三星調(diào)整芯片工廠建設(shè)計劃，優(yōu)先建無塵室滿足市場需求
據(jù)悉，盡管三星半導(dǎo)體事業(yè)面對諸多困境，但該企業(yè)仍然看好今年下半年市場表現(xiàn)。為提升效率及更好應(yīng)對市場需求，三星正積極調(diào)整芯片工廠規(guī)劃。
詳細(xì)信息顯示，三星正逐步推進(jìn)韓國平澤的 P4 工廠建造進(jìn)度，優(yōu)先建設(shè) PH2 無塵廠房。同時，三星也已宣布暫停 P5 工廠新生產(chǎn)線的建造工作。
作為三星重要的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地和代工業(yè)務(wù)中心，平澤承擔(dān)著大量存儲芯片的生產(chǎn)任務(wù)。目前，包括 P1、P2、P3 工廠在內(nèi)的各大生產(chǎn)項目均已投入運(yùn)轉(zhuǎn)，P4 和 P5 工廠則在建設(shè)過程中。
鑒于 P5 工廠當(dāng)前停工情況，三星決定全力打造 P4 工程中的 PH2 無塵廠房，專門用于代工芯片制造業(yè)。此舉意在增加代工產(chǎn)能，與競爭對手臺積電展開爭奪。除此之外，P4 生產(chǎn)線亦計劃構(gòu)建 PH3 無塵廠房以生產(chǎn) DRAM 等存儲芯片。
分析人士指出，三星暫停 P5 工廠修建背后可能隱藏著市場低迷影響，該公司或有意放緩建設(shè)進(jìn)程。因市況不佳，三星甚至不得不取消芯片部門員工的獎金獎勵。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27708瀏覽量
222645 -
存儲芯片
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
902瀏覽量
43271 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1608瀏覽量
31498
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
三星電子宣布重大結(jié)構(gòu)調(diào)整
三星電子近日宣布了2025年度的重大組織與高管調(diào)整計劃。其中，存儲器業(yè)務(wù)將被調(diào)整為CEO直轄部門，這一調(diào)整意味著存儲器業(yè)務(wù)在
三星電子計劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存
三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的
三星平澤P4一期產(chǎn)線調(diào)整：將同時生產(chǎn)DRAM和NAND Flash
據(jù)韓國媒體報道，三星電子已決定調(diào)整其平澤園區(qū)P4產(chǎn)線第一期的產(chǎn)能分配，以應(yīng)對市場需求的快速變化。這一決策標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體生產(chǎn)策略上的重要調(diào)整
三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠，專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)
方式獲得三星顯示的一座大樓，并計劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備導(dǎo)入。 此次擴(kuò)建工廠的背景是，三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應(yīng)量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別推
三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線
三星電子即將啟動一項重大舉措，計劃出售位于中國西安的NAND閃存工廠的舊設(shè)備及產(chǎn)線。這一決定標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的一次重大調(diào)整，預(yù)計將對
三星印度工廠工人結(jié)束罷工
三星電子在印度南部泰米爾納德邦金奈市得工廠在歷時一個多月的大罷工后，終于迎來好消息，三星電子印度分公司透露工會已經(jīng)決定取消在印度金奈工廠罷工的計劃
英特爾推遲歐洲芯片工廠建設(shè)計劃
英特爾公司近日宣布了一項重大調(diào)整，決定將其在德國薩克森-安哈爾特州及波蘭弗羅茨瓦夫市的芯片工廠建設(shè)計劃推遲兩年。這一決定由英特爾首席執(zhí)行官帕
三星調(diào)整晶圓代工策略，聚焦NAND Flash與HBM
三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計劃，決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)一步擴(kuò)建，轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略
三星平澤P4/P5芯片工廠建設(shè)延期至2026年
三星電子近日宣布，其位于韓國平澤的P4/P5芯片工廠建設(shè)計劃將發(fā)生重大調(diào)整，原定于加速推進(jìn)的項目
三星P4工廠戰(zhàn)略調(diào)整：優(yōu)先建設(shè)存儲器產(chǎn)線
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)云變幻的當(dāng)下，三星電子再次做出重大戰(zhàn)略調(diào)整，宣布其平澤P4工廠的建設(shè)重心將發(fā)生轉(zhuǎn)變。據(jù)韓媒最新報道，由于代工業(yè)務(wù)經(jīng)營狀況的持續(xù)惡化以及設(shè)計變更等復(fù)雜因素，
三星HBM研發(fā)受挫，英偉達(dá)測試未達(dá)預(yù)期，如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場需求？
據(jù)DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達(dá)測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭，但在英偉達(dá)主導(dǎo)的HBM市場，三星不得不尋求與臺積電合作。臺
三星電子與SK海力士預(yù)測存儲芯片市場需求強(qiáng)烈，HBM產(chǎn)能售罄
全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲器（HBM）價格將持續(xù)攀升，受益于市場對于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片
三星企業(yè)級SSD計劃漲價，需求激增推動市場格局
這一價格調(diào)整的背后，實際上反映出市場需求“遠(yuǎn)超預(yù)期”的現(xiàn)實情況。
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星
三星SDI在匈牙利建第三電池工廠，向現(xiàn)代等供應(yīng)電池
知情人士透露，三星SDI預(yù)估今年在整體設(shè)備擴(kuò)張領(lǐng)域的投入將達(dá)6萬億韓元以上，其中包括1萬億韓元用于新工廠的建設(shè)。此外，該公司還計劃從菲律賓招聘工人前往匈牙利參與相關(guān)業(yè)務(wù)。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論