昨天，“行家說三代半”報道了三安在重慶的2個碳化硅項目進展（.點這里.），今天，三安又公布了最新的項目消息：

今年8月，碳化硅襯底工廠點亮投產；

今年11月，碳化硅芯片廠點亮投產；

達產以后 ，8吋碳化硅MOSFET芯片會達到每周一萬片。

重慶公布SiC重大項目

三安2個工廠即將點亮投產

2月1日，重慶市發展改革委發布了《成渝地區雙城經濟圈2024年重大項目實施有關工作》的通知，披露了安意法半導體、欣暉材料等碳化硅相關項目。

●重慶高新區安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目：

該項目位于重慶高新區西永微電子產業園，總投資約為230億元，由湖南三安和意法半導體合資建設，其中湖南三安持股比例為51%，意法半導體持股比例為49%。

產能建設方面，該項目主要布設外延、芯片生產線，并分2期建設，各期年產能均為26萬片的車規級MOSFET芯片，全廠建成后，可年產車規級MOSFET芯片52萬片。

據“ 重科城微報”2月20日最新消息，意法半導體項目在春節期間不停工，建設取得快速進展，預計年內亮燈通線，比原計劃提前2個月。

安意法半導體有限公司總經理張潔博士表示：“樂觀地預計，在今年的8月和11月，我們能夠分別進行襯底廠和芯片廠的點亮投產。達產以后 ，會達到每周一萬片8吋碳化硅MOSFET芯片的產出水平，主要是應用在新能源汽車主驅逆變、充電樁和車載充電器上。”

● 兩江欣暉硅及碳化硅部件項目：

項目建設方為重慶欣暉材料技術有限公司，坐落于重慶兩江新區魚復工業園區，項目總投資25億元，占地面積135畝，建設硅及碳化硅部件生產廠房及廠務配套、生活區等設施約10萬平方米。項目建成后將實現硅部件產能17萬件/年，碳化硅部件產能8萬片/年。

除了重慶發布碳化硅重大項目外，前不久，江蘇、浙江、河南三省共有13個SiC項目入選2024年重大項目清單（.點這里.）；最近，山西、福建、上海及廣州等多地也開始陸續公布新一年的重大項目清單，合計披露6個碳化硅相關項目，涉及企業包括天岳先進、積塔半導體、爍科等。

根據官方信息及此前報道，“行家說三代半”梳理了這批項目的最新進展：

上海：積塔、天岳先進、邦芯半導體等

2月5日，臨港新片區管委會披露，2024年臨港新片區重大項目計劃安排正式項目148項，其中包括積塔半導體、天岳先進等在建碳化硅相關項目。

●積塔半導體特色工藝生產線建設項目：

該項目屬在建項目，目前，積塔半導體在臨港新片區和徐匯區建有兩個廠區，已建和在建產能共計28萬片/月（折合8吋計算），其中碳化硅3萬片/月。

據悉，2018年8月，積塔特色工藝生產線項目在上海開工，一期規劃建設 6 英寸SiC生產線；2020年6月30日，該項目正式投產。

●天岳先進碳化硅半導體材料項目（一期、二期一階段）：

該項目建設方為天岳先進——2021年，天岳先進開啟IPO進程，并且擬募資20億元、總投資25億元，在上海臨港建碳化硅半導體材料項目，擴產產能（規劃SiC襯底產能約30萬片/年）。2022年3月，該項目已成功封頂。

2023年5月，臨港新片區管理委員會對外公示了《關于“天岳半導體碳化硅半導體材料項目（調整）”》的環評審批意見，根據公告，天岳先進將進行產能調整，6英寸碳化硅晶片生產規模擴大至96萬片/年，產能將增加220%。

●半導體先進工藝裝備研發與產業化項目：

該項目建設方為上海邦芯半導體——2023年8月，邦芯半導體硅基及化合物半導體核心裝備產研項目簽約入駐臨港藍灣，將進一步推動等離子刻蝕、等離子體去膠和薄膜沉積等關鍵技術的深化。

此外，邦芯半導體旗下全資子公司——諳邦半導體也已落戶臨港新片區，致力于化合物半導體刻蝕設備、化合物芯片介質刻蝕設備等產品的研發和生產，實現國產化替代。核心自研產品已應用于中芯國際、積塔半導體等SiC企業。

山西：爍科碳化硅二期項目

2月6日，山西省人民政府辦公廳公布了《關于印發2024年省級重點工程項目名單的通知》 ，其中包含山西爍科碳化硅項目。

中國電科(山西)碳化硅材料產業基地二期項目位于太原市山西轉型綜改示范區，是山西爍科晶體有限公司瞄準“成為國內卓越、世界一流的碳化硅材料供應商”這一目標打造的一張關鍵“拼圖”。

該項目投資5億元，主要建設包括單晶生產車間、動力配套等在內的總面積1.6萬平方米的綜合性廠房，投產后產值可達30萬片。項目于2023年9月份開始建設，10月份進入主體鋼結構施工，11月主體完成封頂。目前，該項目已具備設備進廠條件，預計2024年3月可投入試生產。

福建：士蘭明鎵SiC項目

2月5日，福建發改委公布了《2024年度省重點項目名單》，披露了士蘭微旗下士蘭明鎵SiC功率器件生產線建設項目。

士蘭明鎵SiC功率器件生產線建設項目起初由士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司共同出資建立，后引入大基金二期、廈門海創發展基金合伙企業（有限合伙）等增資，以加快推進生產線建設。

據士蘭微2月1日公告披露，士蘭明鎵已具備月產 3000 片 6 寸 SiC MOSFET 芯片的生產能力，現有產能已滿載。士蘭明鎵正在加快項目設備的購置和安裝調試，預計 2024 年年底將具備月產 1.2萬片 6 寸 SiC 芯片的產能。

廣州：芯粵能一期項目已竣工

1月31日，廣州市發展和改革委員會公布了《廣州市2024年重點建設項目計劃》，其中提及到芯粵能SiC項目。

芯粵能共投資35億元在廣州南沙區建設碳化硅芯片項目，其中一期建設年產24萬片6英寸碳化硅晶圓的生產線。目前，該項目月產能已達到1萬片碳化硅晶圓；車規級和工控級芯片成功流片并送樣，芯片性能參數表現優異。

審核編輯：劉清