什么是MOSFET?
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管的縮寫。它是一種 FET(場效應晶體管),其柵極和溝道之間具有絕緣金屬氧化物層。相反,JFET 的柵極與其溝道相連。絕緣柵的優點是其卓越的速度和性能,并且漏電流非常小。
現在MOSFET分為耗盡型MOSFET“D-MOSFET”和增強型MOSFET“E-MOSFET”兩種。這兩種 MOSFET 廣泛應用于電子、集成電路和嵌入式電路中。
MOSFET 有 4 個端子:漏極、柵極、源極和體。然而,主體端子始終與源極端子連接。因此,我們只剩下三個終端。 MOSFET在源極和漏極之間傳導電流。源極和漏極之間的電流路徑稱為溝道。該溝道的寬度由柵極端子處的電壓控制。
MOSFET的電路符號
1、耗盡型MOSFET
MOSFET 或金屬氧化物半導體 FET 是另一種場效應晶體管,其柵極與載流通道完全隔離,因此也稱為 IGFET(絕緣柵 FET)。它是一種電壓控制電流裝置。耗盡型 MOSFET 在柵源電壓為零時通常導通。它們通過分別向 P 溝道或 N 溝道 MOSFET 施加正或負柵源電壓來關閉。
2、增強型MOSFET
當柵源電壓為零時,增強型 MOSFET 通常不導通。它們通過對 N 溝道施加正柵源電壓和對 P 溝道增強型 MOSFET 施加負柵源電壓來導通。增強型類似于常開型開關,而耗盡型類似于常閉型開關。
3、帶散裝的增強型MOSFET
這種類型的增強型 MOSFET 有四個端子。額外的端子稱為 Bulk 或 body 端子。它既不是輸入端,也不是輸出端,而是用于基板接地。它通常在內部與源極端子連接,這就是為什么它們從符號中被省略,以顯示清晰的原理圖,并減少笨重的接線。
4、具有Bulk功能的耗盡型MOSFET
這種耗盡型 MOSFET 有一個額外的獨立端子用于體或體。它與 MOSFET 的源極端子短接以進行工作。它使子狀態接地。
5、雙柵極耗盡型MOSFET
雙柵極 MOSFET 是一種特殊類型的 MOSFET,它包含兩個串聯的單獨柵極。門電路更精確地控制放大系數。例如,可以通過改變門2處的信號來控制門1處的信號的放大系數,從而為各種幅度的信號提供自動控制。
6、雙柵極增強型MOSFET
這是增強型雙柵極 MOSFET。它們的工作原理與耗盡型 MOSFET 相同,但唯一的區別是,當柵源電壓為零時,耗盡型通常導通,而增強型通常不導通。
MOSFET的開關應用
MOSFET 最常見的應用之一是作為電力電子電路中的開關。 MOSFET 可以非常快速地開關,這使其能夠處理高頻并減少功率損耗。 MOSFET 還可以處理高電流和電壓,這使其適合高功率應用。
MOSFET 開關應用的一些示例包括:
DC-DC 轉換器:這些是將一種直流電壓電平轉換為另一種直流電壓電平的電路。 MOSFET可用作開關來控制電感器或電容器的充電和放電,從而交替循環地存儲和釋放能量。輸出電壓可以通過調節開關的占空比來調節,占空比是接通時間與關斷時間的比率。
電機控制:這些電路控制電機的速度和方向。 MOSFET 可用作開關來控制流經電機繞組的電流,從而產生使電機軸旋轉的磁場??梢酝ㄟ^改變開關的頻率和極性來控制電機的速度和方向。
逆變器:這些是將直流電壓轉換為交流電壓的電路。 MOSFET 可用作開關來交替直流電壓的極性,從而在輸出端產生交流波形。交流輸出的頻率和幅度可以通過改變 MOSFET 的開關模式來控制。
MOSFET功率放大器電路圖分享
1、MOSFET功率放大器電路圖(1)
我們連接兩個 MOSFET 作為互補漏極跟隨器,以在該 MOSFET 功率放大器電路中實現高質量的音頻和功率輸出。 T3 和 T4 的電源電壓和飽和電壓控制 MOSFET 提供的輸出電流。
電阻器 R8 和 R9 驅動運算放大器和 MOSFET 的反饋機制。該反饋將運算放大器的開環放大提升 (1+ R8/R9),并導致整個放大器的閉環放大 (1+R3/R2)。
T1和T2形成一個電流源,為T3和T4設置50mA的靜態電流。為了防止運算放大器的直流電流導通 T3 和 T4,需要調節 R4 和 R5 的值。
隨著 R4 和 R5 兩端的電壓上升,它們會增加通過 T3 和 T4 的靜態電流,具體取決于 P1 的設置和電流源。為了考慮靜態電流的溫度依賴性,您必須將 T2 安裝在 MOSFET 的典型散熱器上(約 5 K/W)。
當輸出功率至少為 20 W(8 歐姆)時,該設計可提供卓越的諧波失真水平,100 Hz 時為 0.075%,10 kHz 時為 0.135%。
2、使用IRFP240的100瓦MOSFET功率放大器電路圖
制作100瓦MOSFET功率放大器,首先需要了解MOSFET和功率放大器的基礎知識。而且,要了解功率放大器,您必須了解放大器。一般來說,放大器是在輸出端放大輸入音頻信號的電路。不過,放大器電路有兩種。前置放大器和功率放大器。前置放大器增強微弱信號。在功率放大器的同時,提升線路電平信號。它的階段位于前置放大器之后。
現在轉向 MOSFET。 Mosfet 是金屬氧化物場效應晶體管。通常以兩種模式使用,作為開關或放大器。它具有三個外部端子,分別是柵極、漏極和源極。因此它可以用于不同的配置。要將 MOSFET 用作放大器,或者必須以大多數載流子從源極流向漏極的方式進行偏置。
在MOSFET功放電路中,電容C8是輸入去耦電容。 R20用于限制晶體管Q1的輸入電流。電阻器R3和R2用于設置增益。 R1用于調節輸出電壓。 Q7和Q8晶體管構成AB類功率放大器。保險絲在電路中的使用是安全的。
-
電路圖
+關注
關注
10356文章
10725瀏覽量
532874 -
MOSFET
+關注
關注
147文章
7240瀏覽量
214265 -
功率放大器
+關注
關注
102文章
3626瀏覽量
132287 -
晶體管
+關注
關注
77文章
9745瀏覽量
138896
發布評論請先 登錄
相關推薦
設計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數
![設計<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>功率放大器</b><b class='flag-5'>電路</b>時必須考慮的各種參數](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/2D/wKgaomR9NVGAUSvPAABzT-tY1nU777.jpg)
設計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數
![設計<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>功率放大器</b><b class='flag-5'>電路</b>時必須考慮的各種參數](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/A4/wKgaomRt13yAWIb9AAB1KUrPtfg539.jpg)
評論