SK海力士正著重投資先進(jìn)芯片封裝領(lǐng)域，旨在應(yīng)對AI開發(fā)所需的高帶寬存儲器（HBM）日益增長的需求。

據(jù)封裝研發(fā)負(fù)責(zé)人李康旭副社長（Lee Kang-Wook）介紹，SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴(kuò)充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因，實(shí)現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢，提升了SK海力士在HBM市場的領(lǐng)軍地位。

盡管今年的資本支出預(yù)算尚無公開信息，但分析師普遍預(yù)測約為14萬億韓元（105億美元），先進(jìn)封裝研發(fā)預(yù)計占據(jù)10%以上，屬首要任務(wù)之一。

金融科技專家李副社長認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)未來50年的重心將由前端（芯片設(shè)計和制造）轉(zhuǎn)向后端工藝（封裝）。他率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)推動第三代HBM技術(shù)HBM2E新穎封裝方式的開創(chuàng)與發(fā)展，歷經(jīng)艱險，成功研發(fā)出名為大規(guī)模回流模塑底部填充（MR-MUF）的高端封裝技術(shù)，助力提升散熱效率及產(chǎn)量。李副社長透露，SK海力士正全力推進(jìn)MR-MUF和TSV（硅通孔）技術(shù)。

目前，全球其他兩家主要HBM制造商也在緊隨其后。美光于2月底宣稱已著手大規(guī)模生產(chǎn)24GB 8-Hi HBM3E，并將于2024年第二季度用于英偉達(dá)H200 GPU；三星則宣布36GB 12-Hi HBM3E產(chǎn)品開發(fā)已然完工，計劃在2024年上半年啟動量產(chǎn)，而SK海力士則準(zhǔn)備在2024年第一季度至第二季度初推出HBM3E。