ASML在2023年登上榜首位置。

據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)Counterpoint Research公布的報告，由于內(nèi)存支出疲軟、宏觀經(jīng)濟放緩、庫存調(diào)整以及智能手機和 PC 終端市場需求低迷，排名前5 名晶圓廠設(shè)備 ( WFE )制造商的收入在 2023 年同比下降 1%，達(dá)到 935 億美元。

在這五家 WFE 供應(yīng)商中，ASML 和應(yīng)用材料公司在 2023 年實現(xiàn)了同比增長，而 Lam Research、Tokyo Electron 和 KLA 的收入分別同比下降了 25%、22% 和 8%。強勁的 DUV 和 EUV 銷售推動 ASML 在 2023 年登上榜首位置。

庫存調(diào)整和內(nèi)存下降趨勢對2023年上半年整體營收產(chǎn)生重大影響。然而，2023年下半年庫存正常化和DRAM需求上升有助于限制全年整體營收下滑。

Counterpoint Research分析認(rèn)為，由于環(huán)柵晶體管架構(gòu)的不斷發(fā)展以及客戶對物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、云、汽車和5G等領(lǐng)域成熟節(jié)點設(shè)備的投資力度，代工部門的收入在 2023 年同比增長 16%。

由于整體存儲器 WFE 支出（尤其是 NAND）疲軟，存儲器領(lǐng)域的收入同比下降 25%。然而，2023 年下半年 DRAM 的強勁勢頭遏制了這一下滑。

中國自給自足的大力推動、后緣 DRAM 出貨量的增加、DRAM 需求和成熟節(jié)點增長投資推動對中國的出貨量同比增長 31%，約占 2023 年系統(tǒng)總銷售額的三分之一。

ASML 2023 年營收創(chuàng)歷史新高

盡管半導(dǎo)體行業(yè)2023年經(jīng)歷了周期性低迷，但2023 年第四季度創(chuàng)紀(jì)錄的銷售額推動 ASML 2023 年收入達(dá)到 276 億歐元的歷史新高。服務(wù)和升級收入的增加進(jìn)一步支撐了這一增長，其中邏輯同比增長 60%，內(nèi)存同比增長 9%。



ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 在評論最復(fù)雜的高 NA 工具時表示：“多年來，人們對高 NA 工具作為內(nèi)存和邏輯領(lǐng)域最具成本效益的解決方案的信心不斷增強。我們的客戶相信，與使用低 NA 工具的多重圖案化相比，高 NA 是一種更具成本效益的解決方案，這一點從收到的訂單中可以明顯看出?！?/p>

回顧ASML的2023年，可以看到，2023年ASML向中國發(fā)貨的收入增長了兩倍。受關(guān)鍵和成熟節(jié)點需求增加的推動，中國占ASML 2023年系統(tǒng)凈銷售額的29%，高于2022年的15%。2023年第四季度，中國占ASML銷售額的39%。盡管美國實施了嚴(yán)厲的貿(mào)易制裁，但中國對芯片制造工具的強勁需求提振了該公司的凈銷售額。未來幾年，中國仍將是全球半導(dǎo)體工具制造商的主要市場。

此外，ASML 于 2023 年向客戶交付了首個高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng) EXE:5000 的第一批模塊。向高數(shù)值孔徑系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變旨在實現(xiàn)功能縮小和晶體管密度增加。

ASML 預(yù)計 2024 年增長有限，因為復(fù)蘇步伐尚不清楚。盡管芯片行業(yè)出現(xiàn)了積極的跡象，但客戶一直在克服周期和出口管制法規(guī)的負(fù)面影響。中國對關(guān)鍵和成熟節(jié)點的強勁需求將持續(xù)下去。由于 ASML 計劃加大產(chǎn)能和技術(shù)投資，以應(yīng)對 2025 年預(yù)期的行業(yè)復(fù)蘇，預(yù)計 2024 年毛利率將略有下降。

Counterpoint Research分析認(rèn)為，高NA工具預(yù)計將于2024年推出，但該行業(yè)仍處于建立高NA支持生態(tài)系統(tǒng)的初始階段。芯片制造商現(xiàn)在必須訂購這些工具，因為這些工具的交貨時間較長，并且在大批量制造 (HVM) 中采用之前必須克服圍繞實現(xiàn)高 NA 生態(tài)系統(tǒng)的許多挑戰(zhàn)。

邏輯公司將利用他們的制造和先進(jìn)封裝專業(yè)知識，直到他們在采用高數(shù)值孔徑之前不再在功率、性能、面積、密度和成本方面取得顯著改進(jìn)。

使用高數(shù)值孔徑 EUV（由于曝光區(qū)域較小而難以制造大型芯片）可能會在先進(jìn)封裝的成本與因使芯片組更朝小型芯片方向發(fā)展而節(jié)省成本之間做出權(quán)衡與高性能封裝一起使用，進(jìn)一步推遲了高數(shù)值孔徑的采用。

EUV 在存儲器中的采用率不斷提高，這是一個重要的增長動力，也是驅(qū)動客戶的人工智能相關(guān)需求的關(guān)鍵。

人工智能現(xiàn)在是芯片制造商的首要任務(wù)之一，因為它正在轉(zhuǎn)變?yōu)榻】档募夹g(shù)轉(zhuǎn)型。存儲芯片制造商支出承諾的反彈推動ASML第四季度的訂單創(chuàng)下新高。

由于預(yù)計生成式人工智能的需求激增，芯片制造商已優(yōu)先考慮 DDR5 和 HBM 。內(nèi)存公司正在開發(fā)下一代工藝節(jié)點，增加 EUV 層數(shù)以創(chuàng)建盡可能最小的DRAM節(jié)點，并利用 EUV 技術(shù)推動圖案創(chuàng)新，以克服與未來內(nèi)存節(jié)點擴展相關(guān)的障礙。為了適應(yīng)大多數(shù)需要更高能耗、速度和更高封裝密度以提高整體生產(chǎn)力的應(yīng)用，越來越多地采用 EUV 技術(shù)，這正在推動對這些工具的需求，并將有助于長期整體收入增長。

此外，隨著行業(yè)規(guī)模擴展到HBM 的12 和 16 堆棧，芯片制造商將需要利用 EUV 技術(shù)，這對于提供互聯(lián)設(shè)備所需的性能至關(guān)重要，以滿足不斷增長的需求。

審核編輯：劉清