先進(jìn)的英飛凌科技股份公司近期發(fā)布了CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)創(chuàng)新成果，在電力電子領(lǐng)域引發(fā)廣泛關(guān)注。這款新品旨在高效、穩(wěn)定地解決電力問(wèn)題，解決電力行業(yè)對(duì)更優(yōu)質(zhì)解決方案的期待。

與之前的硅材料功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2無(wú)論是硬開(kāi)關(guān)還是軟開(kāi)關(guān)操作均有出色表現(xiàn)。關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)相較于上一代G1，大幅度提升20%以上，使其在同等條件下具備更高的電力轉(zhuǎn)化效率。對(duì)于需要頻繁切換狀態(tài)的應(yīng)用環(huán)境，例如光伏逆變器、儲(chǔ)能設(shè)備、電動(dòng)汽車充電及UPS等，該技術(shù)的快速開(kāi)關(guān)能力提升超過(guò)30%，提升了多方面的性能表現(xiàn)，更有效地控制能耗并降低功耗損失。

另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。

針對(duì)長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行的需要，英飛凌科技的獨(dú)家.XT互聯(lián)技術(shù)起到了關(guān)鍵作用，它在保證良好熱性能的前提下，提高了半導(dǎo)體芯片的性能，有益于克服行業(yè)難題。新產(chǎn)品的熱性能優(yōu)化提高了12%，使芯片質(zhì)量指標(biāo)達(dá)到了前所未有的碳化硅性能新水平。

總的來(lái)說(shuō)，CoolSiC MOSFET G2的出現(xiàn)，無(wú)論在性能方面還是在可靠性上，都有很好的表現(xiàn)。尤其是在高溫工況下，1200V系列產(chǎn)品可達(dá)150℃的穩(wěn)定運(yùn)行，并且具有高達(dá)200°C虛擬結(jié)溫的超負(fù)荷運(yùn)作潛力，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)者面對(duì)電網(wǎng)波動(dòng)等挑戰(zhàn)時(shí)能更加機(jī)動(dòng)靈活。

英飛凌綠色工業(yè)電力部門總裁Peter Wawer博士對(duì)此表示：“如今，電力在我們的生活中占據(jù)核心地位，新的、高效的能源生產(chǎn)、傳輸和使用需求正在改變大環(huán)境。而CoolSiC MOSFET G2，則是英飛凌適應(yīng)這個(gè)時(shí)代變化的一把鑰匙，它將碳化硅性能推向了全新的高峰。這種新一代SiC技術(shù)能幫助研發(fā)設(shè)計(jì)更加優(yōu)化、緊湊、可靠且高效的系統(tǒng)，最大程度地節(jié)約能源，并削減每瓦CO2排放量。”

英飛凌領(lǐng)先的CoolSiC MOSFET溝槽技術(shù)結(jié)合屢獲殊榮的.XT封裝技術(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)了基于CoolSiC G2的設(shè)計(jì)潛力，具有更高的導(dǎo)熱性、更好的裝配控制和更高的性能。此外，英飛凌掌握硅、碳化硅和氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的所有相關(guān)功率技術(shù)，提供設(shè)計(jì)靈活性和領(lǐng)先的應(yīng)用專業(yè)知識(shí)，滿足現(xiàn)代設(shè)計(jì)人員的期望和需求。基于SiC和GaN等寬帶隙（WBG）材料的創(chuàng)新半導(dǎo)體是有意識(shí)、高效利用能源促進(jìn)脫碳的關(guān)鍵。