近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過(guò)改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N，均采用了Vishay獨(dú)特的Trench IGBT技術(shù)，為設(shè)計(jì)人員提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)選項(xiàng)，旨在降低運(yùn)輸、能源和工業(yè)應(yīng)用中的大電流逆變級(jí)導(dǎo)通或開(kāi)關(guān)損耗。

這一系列功率模塊的創(chuàng)新之處在于，它們提供了低VCE(ON)和低Eoff兩種技術(shù)選擇。低VCE(ON)特性有助于在導(dǎo)通狀態(tài)下減少能量損失，從而提高整體效率；而低Eoff特性則有助于在開(kāi)關(guān)過(guò)程中減少能量損失，進(jìn)一步提升系統(tǒng)的性能。

這些工業(yè)級(jí)器件專為各種應(yīng)用的電源逆變器設(shè)計(jì)，包括鐵路設(shè)備、發(fā)電配電和儲(chǔ)電系統(tǒng)、焊接設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人等。在這些應(yīng)用中，功率模塊的性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。因此，Vishay的新款半橋IGBT功率模塊有望為這些應(yīng)用帶來(lái)顯著的性能提升。

此外，這些新型功率模塊還采用了改良的INT-A-PAK封裝，這種封裝設(shè)計(jì)不僅提供了出色的散熱性能，還增強(qiáng)了模塊的機(jī)械強(qiáng)度，使其能夠在各種惡劣的工作環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

業(yè)界專家分析認(rèn)為，Vishay此次推出的新款半橋IGBT功率模塊，充分展示了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力。這些模塊不僅性能優(yōu)異，而且適用性廣泛，有望為電源逆變器市場(chǎng)帶來(lái)新的增長(zhǎng)動(dòng)力。

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)功率模塊的性能要求也越來(lái)越高。Vishay的新款半橋IGBT功率模塊的推出，無(wú)疑為市場(chǎng)提供了一款高性能、高可靠性的解決方案。未來(lái)，我們期待Vishay能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)電力電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。