江蘇帝奧微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱帝奧微）近日宣布，其SIM卡電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品DIO74557已成功通過(guò)高通平臺(tái)認(rèn)證，并正式進(jìn)入Qualcomm（高通）發(fā)布的中高端平臺(tái)參考設(shè)計(jì)。這一里程碑式的成就標(biāo)志著帝奧微在微電子領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。

隨著手機(jī)平臺(tái)的持續(xù)進(jìn)步，主芯片的制程已經(jīng)發(fā)展至4nm甚至3nm工藝，其I/O邏輯電平可低至1.2V。然而，目前市場(chǎng)上的SIM卡主要采用1.8V或者3V的邏輯電平接口。這種電壓差異給手機(jī)主芯片與SIM卡之間的兼容性帶來(lái)了挑戰(zhàn)。為了解決這一問(wèn)題，帝奧微推出了SIM卡電平轉(zhuǎn)換芯片DIO74557。

DIO74557電平轉(zhuǎn)換芯片專為解決手機(jī)主芯片與SIM卡之間的電壓兼容性問(wèn)題而設(shè)計(jì)。它能夠?qū)⒅餍酒牡碗妷哼壿嬰娖睫D(zhuǎn)換為SIM卡所需的高電壓邏輯電平，從而實(shí)現(xiàn)兩者之間的無(wú)縫連接。這款產(chǎn)品的推出，不僅解決了行業(yè)內(nèi)的技術(shù)難題，還為手機(jī)制造商提供了一種高效、可靠的解決方案。

此次通過(guò)高通平臺(tái)認(rèn)證，是對(duì)DIO74557產(chǎn)品性能的又一次有力證明。高通作為全球領(lǐng)先的無(wú)線技術(shù)創(chuàng)新者，其平臺(tái)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格且權(quán)威。DIO74557能夠成功通過(guò)認(rèn)證，充分說(shuō)明了其優(yōu)異的性能指標(biāo)和穩(wěn)定的可靠性。