AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強模場效應晶體管
概述
AO8810/L采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的操作。該設備適用于作為負載開關或在PWM應用程序中使用。它是ESD保護。AO8810和AO8810L的電性相同。-符合RoHS標準-AO8810L不含鹵素
特征
VDS (V) = 20V
ID = 7 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20m? (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 21m? (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 22m? (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 24m? (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 32m? (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM
審核編輯 黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
場效應晶體管
+關注
關注
6文章
382瀏覽量
19856
發布評論請先 登錄
相關推薦
LT8814EFF具有ESD保護的雙N溝道增強型場效應晶體管規格書
電子發燒友網站提供《LT8814EFF具有ESD保護的雙N溝道增強型場效應晶體管規格書.pdf》資料免費下載
發表于 03-25 17:28
?0次下載
LT8814EFD具有ESD保護的共漏N溝道增強型場效應晶體管規格書
電子發燒友網站提供《LT8814EFD具有ESD保護的共漏N溝道增強型場效應晶體管規格書.pdf》資料免費下載
發表于 03-25 17:26
?0次下載
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型
電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
發表于 02-13 15:23
?0次下載
互補場效應晶體管的結構和作用
隨著半導體技術不斷逼近物理極限，傳統的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環繞柵或圍柵（GAA
結型場效應晶體管和N溝道場效應晶體管有什么區別
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）和N溝道場效應晶體管（N-Channel Field-Effect Transisto
如何選擇場效應晶體管
在選擇場效應晶體管（FET）時，需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應用需求，同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應晶體管的指南，包括關鍵步驟、考慮因素以及具體的應用建議。
什么是結型場效應晶體管
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源器件，其特點在于通過改變外加電場來調制半導體溝道中的電流，從而實現
場效應晶體管和雙極性晶體管有什么區別
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT，也稱雙極性結型
場效應晶體管利用什么原理控制
場效應晶體管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等優點，在電子技術領域得到了廣泛的應用。 一
工商網監
評論