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星曜半導體發布兩款TF-SAW雙工器,滿足5G手機的高速率需求

MEMS ? 來源:MEMS ? 2024-04-01 09:41 ? 次閱讀

全球5G通信技術的大力發展推動射頻前端器件需求大幅提升。在所需芯片數量持續增加和可用布版面積日益減少的矛盾下,射頻系統架構不斷更新迭代。目前,5G手機通過支持更多的EN-DC和DL-CA的頻段組合,來滿足用戶對于高速率的需求,其中B20和B28F頻段LB+LB的EN-DC組合十分常見。

星曜半導體本次發布的兩款TF-SAW雙工器——B20 Tx & B20+B28F Rx和B28F Tx & B20+B28F Rx,則是針對這一應用的特殊優化。該兩款雙工器由于其帶寬過寬、發射和接收間隔極小等特點,開發難度極大,一直是國內極稀缺產品。兩顆雙工器配套使用,支持B20+B28F EN-DC,能有效適配高成本Phase7 LE方案,并為系統節省一根天線,如Fig. 1所示:

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Fig. 1 B20+B28F雙工器產品應用方案示意圖

本次發布的兩款雙工器芯片,封裝尺寸均為1.8mm x 1.4mm,采用高性能的TF-SAW工藝,其諧振單元Q值與同頻段BAW諧振器接近。

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(a) B20 Tx & B20+B28F Rx (STD081018A1)

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(b) B28F Tx & B20+B28F Rx (STD076218A1)

Fig. 2 星曜半導體兩款雙工器產品實拍圖

Part 1.B20 Tx & B20+B28F Rx 雙工器

該款雙工器發射工作頻率為832 ~ 862MHz,接收工作頻率為758 ~ 821MHz。發射通道與接收通道的工作頻率間隔僅11MHz,超高Q值TF-SAW諧振器技術極大地抑制了通帶及周邊的雜波,使得該雙工器能夠滿足帶外陡降的高要求。產品不僅具有更好的通帶性能,而且在帶外抑制方面也表現出色。Tx帶內插損小于1.7dB、Rx帶內插損小于1.5dB,在Tx頻段隔離大于58dB、在Rx頻段隔離大于55dB,性能達到國際頂尖水平,充分滿足客戶的高端使用需求。

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Fig. 3 B20 Tx & B20+B28F Rx雙工器實測數據

(a) B20 Tx IL; (b) B20+B28F Rx IL; (c) TRx narrow band; (d) TRx wide band; (e) TRx isolation; (f) Tx/ANT VSWR; (g) Rx/ANT VSWR

Part 2.B28F Tx & B20+B28F Rx 雙工器

該款雙工器發射工作頻率為703 ~ 748MHz,接收工作頻率為758 ~ 821MHz,發射通道與接收通道的工作頻率間隔僅10MHz。得益于TF-SAW高Q值的特性,產品具備更好的無源性能,在帶內插損和帶外抑制方面表現優異,Tx通帶插損典型值均小于1.7dB、Rx通帶插損典型值均小于2.0dB,在Tx與Rx頻段隔離均大于54dB,綜合性能達到國際一線大廠產品水準,充分證明了星曜半導體產品的全面領先優勢。

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Fig. 4 B28F Tx & B20+B28F Rx雙工器實測數據

(a) B28F Tx IL; (b) B20+B28F Rx IL; (c) TRx narrow band; (d) TRx wide band; (e) TRx isolation; (f) Tx/ANT VSWR; (g) Rx/ANT VSWR

值得一提的是,目前有能力自研和大規模量產TF-SAW濾波器的企業數量極少。星曜半導體與POI晶圓廠家深度合作,定制開發適合不同頻段、不同產品的POI晶圓,已經自主研發完成了TF-SAW全頻段系列諧振器、濾波器、雙工器以及四工器,并實現在客戶項目大規模量產出貨,TF-SAW總體技術水平和出貨數據位居國內領先位置。星曜TF-SAW系列產品頻率覆蓋范圍從600MHz到2.7GHz,充分體現了國產濾波器芯片廠家技術能力的關鍵突破和重大跨越。未來,星曜半導體將繼續致力于開發更高性能、更具市場競爭力的射頻濾波器和模組芯片,持續拓展國產射頻芯片企業的產業化供應新局面。



審核編輯:劉清

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原文標題:星曜半導體國內首發兩款TF-SAW雙工器,滿足5G手機的高速率需求

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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