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基于薄膜AlScN的聲光調(diào)制器研究

MEMS ? 來(lái)源:上海大學(xué) ? 2024-04-08 09:06 ? 次閱讀

近日,上海大學(xué)微電子學(xué)院集成光子芯片團(tuán)隊(duì)在摻鈧氮化鋁(AlScN)集成聲光調(diào)制器研究上取得重要進(jìn)展,成果被國(guó)際知名光學(xué)期刊《Photonics Research》接收發(fā)表,題為“Demonstration of acousto-optical modulation based on thin-film AlScN photonic platform”。上海大學(xué)微電子學(xué)院2021級(jí)碩士研究生邊可偉為第一作者,團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人胡挺教授和鄭少南副教授為通訊作者,上海大學(xué)為第一署名單位。

摻鈧氮化鋁薄膜憑借其優(yōu)秀的壓電性能,寬透明窗口且與成熟的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝兼容的優(yōu)勢(shì),是實(shí)現(xiàn)集成聲光調(diào)制器的新型材料。

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本研究首次報(bào)道了基于薄膜AlScN的聲光調(diào)制器。通過設(shè)計(jì)聲光相互作用結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了最高-19.2 dB的調(diào)制效率,同時(shí),調(diào)制的射頻3-dB帶寬為5.9 MHz。在此基礎(chǔ)上,實(shí)驗(yàn)還演示了基于多模波導(dǎo)中的多模態(tài)聲光調(diào)制,在通信波長(zhǎng)范圍內(nèi)0.48 nm的光學(xué)帶寬上實(shí)現(xiàn)了高對(duì)比度(>10 dB)的非互易聲光調(diào)制。這項(xiàng)工作為聲光調(diào)制器在實(shí)現(xiàn)微波光子濾波器、片上無(wú)磁光隔離器和光循環(huán)器等潛在應(yīng)用提供了一種新的解決方案。

本工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金和上海市自然科學(xué)基金的支持。

上海大學(xué)集成光子芯片團(tuán)隊(duì)聚焦集成光子學(xué)領(lǐng)域前沿,通過研究基礎(chǔ)理論、器件微納結(jié)構(gòu)與功能,以及CMOS兼容工藝中的關(guān)鍵技術(shù),探索集成光子芯片在高速光通信/光互連、多維智能傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。

論文鏈接:

https://doi.org/10.1364/PRJ.517719


審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:基于薄膜AlScN的聲光調(diào)制器

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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