在PNP的共發射極配置中，晶體管發射極是輸入側和輸出側共用的端子。要放大的信號施加在構成輸入電路的基極和發射極之間，而放大的輸出電壓則在形成輸出電路的集電極到發射極的負載阻抗上產生。

圖1給出了使用負載電阻R的CE放大器的基本電路C.

大信號電流增益

在 CB 晶體管中，IE形成輸入電流，而 IC是輸出電流。以下等式與電流相關：

(1)

(2)

結合方程 1 和 2，我們得到，

(3)

等式 3 給出 IC就 I 而言 B .

讓， （4）

然后， （5）

讓我們， （6）

那么等式（3）可以寫成，

(7)

(8)

圖（2）顯示，在CE晶體管中，輸出電流IC等于輸入電流 IB乘以加電流 I 首席執行官 .如果我B為零，即基極開路，則 I首席執行官等于。這 I首席執行官是基極開路時在集電極和發射極之間流動的漏電流，如圖（2）所示。

從等式 （6） 中，等價于 I 的大小首席執行官比我大得多 一氧化碳 .因此，用 ，所以我首席執行官是 100 倍 I一氧化碳在量級上。在硅晶體管中，I首席執行官是幾微安，而在鍺晶體管中，它是幾百微安。關于重新排列方程 （7） 并替換 I一氧化碳與我國會預算辦公室我們得到，

(9)

但 CE 截止條件由 I 定義 E = 0， 我 C = 我 國會預算辦公室 ，而我 B = -我 國會預算辦公室 .因此，公式（9）等于從截止點開始的集電極電流增量與從截止點開始的基極電流增量之比。因此，真正代表了CE晶體管的大信號電流增益。

(10)

等式 （10） 指出 I 的變化之比C從截止到變化 IB從截止。

CE晶體管的直流電流增益（或h 鐵 )

它被定義為集電極電流與基極電流的比值。

因此， （11）

總的來說，我 首席執行官 << I C .然后，等式 （10） 得出 。

參數 h鐵是晶體管飽和區域中的重要量，通常在制造商的數據中提供，特別是對于開關晶體管。

小信號電流增益或h鐵

在給定的工作點或 h鐵定義為小集電極電流增量與小基極電流增量之比，保持VCE公司不斷。

因此

(12)

PNP CE晶體管的靜態特性曲線

CE配置是晶體管電路中使用最廣泛的配置。圖3顯示了以公共發射極（CE）配置連接的PNP晶體管。這里，發射極是輸入側和輸出側共有的端子，并且該端子已接地。因此，我們剩下兩個電壓變量，即 V是和 V CE公司 .此外，當前 IE是忽略的，等于–（I C + 我 B ).因此，我們剩下兩個當前變量，即 IB和我 C .在這四個變量的總和中，輸入電流 IB和輸出電壓 VCE公司作為自變量，而輸入電壓 V是和輸出電流 IC形成因變量。然后我C和 V是用 V 表示CE公司和我B根據以下等式。

(13)

(14)

繪制時，公式（13）給出靜態輸出特性曲線，而公式（14）給出靜態輸入特性曲線。

PNP晶體管共發射極配置電路設置

圖4顯示了在CE配置中獲取PNP晶體管靜態特性的基本電路布置。對于NPN晶體管，所有電池、毫米安表和電壓表的端子都必須反轉。基極到發射極電壓 V是可由電位計 R 改變 1 .由于這個電壓 V是相當低（小于 1 伏），我們包括一個串聯電阻器 R S （通常為 1 k-ohms）在基極到發射極電路中。該電阻器有助于限制發射極電流 IB到一個低值。集電極-發射極電壓 VCE公司可以在電位計 R 的幫助下改變 2 .毫安表和電壓表讀數為 IB我 C 、V是和 V CE公司 .

CE晶體管的靜態輸入特性曲線

獲得靜態輸入特性的實驗程序包括設置如圖（4）所示的電路，調整VCE公司到零，即集電極與發射極短路，增加 V 的大小是從零開始，以 -0.1 伏的常規步長，注意相應的 Ib和繪圖我b針對 V 是 .對 V 的其他值重復該過程CE公司比如說 -3 伏、-6 伏等。因此，我們得到了圖（5）所示的輸入特性曲線。

V 的特征曲線 CE公司 = 0 和寬度 JE正向偏置與正向偏置二極管相同。如果 V是為零，IB幾乎變為零，因為現在發射極和集電極結都短路了。對于 V 的任何非零值 CE公司 ，為 V 的基極電流 是 = 0 不是零，而是很小，無法在圖 （5） 中單獨表示。一般來說，常數 V 是 ，作為 VCE公司增加，基極寬度根據早期效應減小，這反過來又導致復合基極電流 I 降低B如圖（5）所示。

CE硅晶體管的靜態輸入特性曲線與圖（5）類似。然而，曲線在 0.5 至 0.6
伏的范圍內脫離零電流，而不是像 Ge 晶體管那樣從 0.1 到 0.2 伏。

動態輸入電阻

晶體管在給定值V時的動態輸入電阻是和 VCE公司定義為 I 斜率的倒數B該點的曲線，由下式給出，

(15)

因此，考慮圖 3.33 中 V 曲線上的點 P CE公司 =-3 伏。在這一點上， V 是 = -0.5 伏。考慮 I 的增量B從 到 .考慮伏特。

然后

CE晶體管的靜態輸出特性

繪制公式（13）時給出了靜態輸出特性曲線。實驗程序包括設置電路，如圖（4）所示，調整I B = 0，增加 V 的大小CE公司從零開始，以 say-2 的常規步長，沒有相應的 I C, 和繪圖我C針對 V CE公司 .對 I 的其他值重復該過程B說，等等。因此，我們得到了圖（6）所示的靜態輸出特性曲線。這些曲線的形狀與 CB 配置中的輸出特性相似，但不同之處在于在 CE 配置中，曲線的斜率更大。進一步地，輸出電流即集電極電流IC遠大于輸入電流，即基極電流，通常為 100 到 200 倍。

CE 活動區域

在活動區域中，JE是前向偏置的，而 JC是反向偏置的。因此，在圖（6）中，活動區域位于縱坐標V的右側 CE公司 = 零點幾伏特及以上 I B = 0，如圖所示。在有源區域，晶體管對輸入信號的響應速度更快，即 I 有很大的變化C和 VCE公司對于 I 的任何更改 B .對于線性放大器，必須將操作限制在有源區域。

我們已經看到我C由下屬給出，

.........(16)

如果是完全常數，則根據等式 （16），IC將獨立于 VCE公司圖（6）中的曲線將是水平的。然而，由于早期效應，兩者都隨著 V 的增加而增加 CE公司 .因此，讓 V 增加CE公司導致 1% 的 say 從 0.98 增加到 0.99。相應的增加是從 49 到 99，增加 102%。因此，CE電路中的輸出特性具有很高的上行梯度。這反過來又導致低增量輸出阻抗r0哪里0由下屬給出，

(17)

從圖（6）中進一步，我們發現輸出特性從原點開始，不進入轉發集電極電壓區域。這是因為 JC已經前向偏置了一定量的 V是當 VCE公司達到零。

CE 截止地區

CE 截止區域由 I 定義 C = 0， 我 C = 我一氧化碳和我 B = -我 C = -我一氧化碳和 JE對于Ge（Si）晶體管，反向偏置至約0.1伏（0伏）。

CE 飽和區域 |PNP晶體管的通用發射極配置

它是兩個 JC和 JE至少受到角質電壓的正向偏置。