據最新消息,深圳基本半導體有限公司近日獲得一項名為“功率模塊、封裝結構及電子設備” 的新型專利,其編號為 CN117276226B,公示日期為 2024 年 4 月 16 日,提交日期為 2023 年 11 月 1 日。
![wKgZomYlxCKAAwsfAAFBQ7GtfI8288.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/D4/6E/wKgZomYlxCKAAwsfAAFBQ7GtfI8288.png)
該專利主要涉及半導體技術領域,提出了一種全新的功率模塊、封裝結構以及電子設備設計方案。其中,功率模塊由絕緣基板和半橋結構組成,半橋結構包含相互間隔的第一負載軌道、第二負載軌道、第一直流負極區域和第二直流負極區域。第一負載軌道由第一上橋臂區域、直流正極區域和第二上橋臂區域依次相連而成;第二負載軌道則由第一下橋臂區域、交流區域和第二下橋臂區域依次相連而成。值得注意的是,第一下橋臂區域位于第一直流負極區域與交流區域之間,第二下橋臂區域則位于第二直流負極區域與交流區域之間。
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