據悉，上海華虹宏力半導體制造有限公司近期成功獲得了“一種嵌入式存儲器參數測試分類篩選方法”的專利權，該專利公開號為CN112820340B，生效日期為2024年4月16日，申請時間為2021年2月5日。

這項專利技術主要包括四個步驟：首先，確定存儲器電參數的調整范圍；其次，進行晶圓測試獲取實際測量的電參數；接著，將這些數據記錄在日志文件中；最后，對日志文件中的數據進行分析，生成測試晶圓圖譜。此方法通過記錄每顆晶圓的電參數調整值，能夠有效地排除異常芯片，提供可靠的風險預警機制，從而提升芯片的可靠性水平。