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瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(5)-5

瑞薩MCU小百科 ? 來(lái)源:瑞薩嵌入式小百科 ? 2024-04-23 14:09 ? 次閱讀

在Lab 3的基礎(chǔ)上增加低功耗 (Auto Judgement) 功能

5.6

調(diào)試低功耗 (Auto Judgement) 功能運(yùn)行參數(shù)

5.6.4 2. 低功耗工作模式下的Auto Judgement自動(dòng)判斷功能的相關(guān)參數(shù)

以下三個(gè)參數(shù),由于無(wú)法在低功耗模式下仿真調(diào)試,因此只能直接在 "qe_touch_config.c" 中直接修改。

Tlot,Non-touch judgment continuous count,與Button的 "Negative Noise Filter Cycle" 意義相同

Thot,Touch judgment continuous count,與Button的 "Positive Noise Filter Cycle" 意義相同

Ajmmat,Moving average,與Button的 "Moving Average Filter Depth" 意義相同

下面的參數(shù),由于工作在Normal模式下,因此可以QE監(jiān)控窗口進(jìn)行調(diào)試和修改。

Ajbmat,Baseline average count,與Button的 "Drift Correction Interval" 意義相同,也可以在 "qe_touch_config.c" 中直接修改,如下圖:

9b5dc278-0134-11ef-a297-92fbcf53809c.png

5.6.5 特別注意,在"qe_touch_config.c"中直接修改Ajbmat后,還需要在"qe_touch_sample.c"中,修改如下宏定義:

/* Baseline number = 256[Times] at AJBMAT = 7 */
#define WAKEUP_TIME_AJBMAT (256) 
#define WAKEUP_TIME_BASELINE (WAKEUP_TIME_AJBMAT * 2)

WAKEUP_TIME_AJBMAT的設(shè)定值為Ajbmat的設(shè)定值的2+1次方,例如Ajbmat的設(shè)定值為7時(shí)WAKEUP_TIME_AJBMAT的設(shè)定值為27+1=256

NOTE

Baseline調(diào)整的應(yīng)用程序代碼詳見5.4.4小節(jié)。

如果baseline調(diào)整的時(shí)間設(shè)定過長(zhǎng),會(huì)影響按鍵的響應(yīng)時(shí)間,影響用戶體驗(yàn)。

5.6.6 下圖為將Ajbmat設(shè)定為3時(shí)的調(diào)整示例,如下圖:

在 "qe_touch_config.c" 中,將Ajbmat設(shè)定為3

在 "qe_touch_sample.c" 中,將WAKEUP_TIME_AJBMAT設(shè)定為16

可以看到,baseline調(diào)整的時(shí)間非常短。

此時(shí),MEC電極的測(cè)量值有可能來(lái)不及跌落閾值之下,此時(shí)即便回到低功耗模式之中,由于按鍵判定依然為On狀態(tài),所以會(huì)立即退出低功耗模式回到Normal模式。因此,要合理設(shè)定Ajbmat的值。

9b876506-0134-11ef-a297-92fbcf53809c.png

5.6.7 3. 其他低功耗工作相關(guān)的參數(shù)

低功耗控制周期

低功耗模式下的MEC電極的Sensor驅(qū)動(dòng)脈沖頻率

無(wú)按鍵按下時(shí)的等待時(shí)間

低功耗控制周期

低功耗控制周期的設(shè)定越長(zhǎng),功耗越低,響應(yīng)時(shí)間也越長(zhǎng),即靈敏度很低。

要根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用,合理的設(shè)定低功耗控制周期。

9ba9af58-0134-11ef-a297-92fbcf53809c.png

在"qe_touch_sample.c"中,通過修改以下兩個(gè)宏定義,修改控制周期,當(dāng)前設(shè)定值為100000,即100ms。

修改低功耗控制周期后,可通過電流表查看電流波形以及功耗數(shù)據(jù)。

/* LPT cycle = 100000[microseconds] (100 microseconds) */
#define WAKEUP_LPT_PERIOD (100000) 
/* LPT compare = 100000[microseconds] (100 microseconds) */
#define WAKEUP_LPT_PERIOD_STANDBY (100000)

低功耗模式下的MEC電極的Sensor驅(qū)動(dòng)脈沖頻率

在低功耗模式下,僅MEC電極在工作,修改MEC電極的Sensor驅(qū)動(dòng)脈沖頻率,會(huì)影響功耗數(shù)據(jù)。

低功耗模式下的MEC電極的Sensor驅(qū)動(dòng)脈沖頻率設(shè)定越大,功耗越大。

Sensor驅(qū)動(dòng)脈沖頻率可設(shè)定的最小值為0.5MHz。

在本例中,MEC電極的Sensor驅(qū)動(dòng)脈沖頻率從0.5MHz改為1MHz后,功耗數(shù)據(jù)會(huì)有5uA左右的提高。

無(wú)按鍵按下時(shí)的等待時(shí)間

在 "qe_touch_sample.c" 中,通過修改以下宏定義,修改在Normal模式下,無(wú)按鍵按鍵返回低功耗模式的等待時(shí)間。

#define WAKEUP_TIME_SLEEP (3000U) /* 3sec*/

審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用——RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié) (5)-5

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