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Lab Session 4

在Lab 3的基礎上增加低功耗 (Auto Judgement) 功能

5.5

使用QE for Cap Touch監控觸摸底層數據以及觸摸行為

5.5.1 按照前文 "2.6運行程序" 小節介紹的方法，在仿真狀態下全速運行程序。

在 "Cap Touch Workflow" 的 "4.monitoring" 中，點擊 "Start Monitoring (Emulator)" 下方的"Show Views"

5.5.2 具體操作大體上可以按照前文 "2.9 使用QE for Cap Touch監控觸摸底層數據以及觸摸行為" 小節介紹的方法進行。

不同點在于：

? 在低功耗狀態下，即時監控窗口 "Enbale Monitoring"，也無法使用QE for Cap Touch監控觸摸底層數據以及觸摸行為。各個監控窗口處于停止狀態，數據和波形曲線停止刷新。

? 在 "CapTouch Parameters (QE) View" 中的MEC電極 (Config01) 的參數項比之前少。

? 在 "e2 studio" 下方 "Console控制臺" 窗口顯示了MCU當前處于低功耗狀態。

? 在 "e2 studio" 狀態欄的左下角，顯示了當前工程的運行狀態處于 "待機" 狀態。

NOTE

在e2 studio左下角的狀態欄，顯示了當前工程的運行狀態，包括以下幾種。

在低功耗時顯示：

在正常運行時顯示：

在程序暫時顯示：

5.6

調試低功耗 (Auto Judgement) 功能運行參數

5.6.1 在這一部分，我們主要關注以下三部分的參數調整：

1. 低功耗工作模式下MEC電極的運行參數

MEC電極的閾值Threshold（為Normal模式下工作時的50%）

2. 低功耗工作模式下的Auto Judgement自動判斷功能的相關參數

在 "Lab_session_1" → src → smc_gen→ r_ctsu_qe→ doc→ en文件夾下的應用筆記 "r01an4469ej0210-rx.pdf" 中，對 "Auto Judgement" 自動判斷功能的相關參數進行了詳細的說明，如下圖所示：

其中主要的控制參數如下：

Tlot，Non-touch judgment continuous count，與Button的Negative Noise Filter Cycle意義相同

Thot，Touch judgment continuous count，與Button的Positive Noise Filter Cycle意義相同

Ajmmat，Moving average，與Button的Moving Average Filter Depth意義相同

Ajbmat，Baseline average count，與Button的Drift Correction Interval意義相同

3. 其他低功耗工作相關的參數

低功耗控制周期，見下圖

低功耗模式下的MEC電極的Sensor驅動脈沖頻率

無按鍵按下時的等待時間

5.6.21. 低功耗工作模式下MEC電極的運行參數

MEC電極的閾值Threshold（為Normal模式下工作時的50%），舉例來說，在 "qe_touch_config.c" 中可以看到MEC電極的閾值Threshold為309。

但是在QE監控窗口看到的閾值Threshold為309的50%，為154。

為Normal模式下工作時的50%的原因如下：

CTUS2為三頻率測量，三頻率測量是丟棄一個異常值，最終兩個頻率的值求和，因此自動調整過程 (Auto tuning process) 輸出一個頻率測量x2的結果，并反映在Log日志中。使用低功耗 (Auto Judgement) 功能時的監測只顯示一個頻率的結果，因此結果是日志中顯示的閾值的一半。這是因為即使在測量三個頻率時，自動判斷版本也不會組合這些值，而是對每個頻率單獨執行觸摸判斷【這個機制以后可能會修改】。

低功耗模式下MEC電極閾值Threshold，建議使用 "CapTouch Parameters (QE) View" 在程序運行狀態下通過 "Touch Threshold" 修改并調試，然后在 "qe_touch_config.c" 中直接修改。

調試時，先通過手指接近MEC電極，使系統自動判斷有按鍵動作，退出低功耗模式返回Normal模式，然后 "CapTouch Parameters (QE) View" 中修改 "Touch Threshold"，手指再次接近MEC電極觀測靈敏度變化，由于MEC電極在Normal模式下運行的時間非常短，因此需要反復調試以達到滿意的效果。