同步整流芯片U7612詳細功能干貨分享

同步整流芯片U7612內部集成有智能開通檢測功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數振蕩引起的同步整流開關誤開通，提高了系統效率及可靠性，是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率！

IC 的啟動和關機

在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7612處于關機狀態。內部Gate 智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到 VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現續流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.3V)后，芯片關機，副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現續流。

開通階段

變壓器副邊續流階段開始時，同步整流內置MOSFET的溝道處于關閉狀態，副邊電流Is經MOSFET體二極管實現續流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。當負向Vds電壓小于同步整流芯片U7612內置MOSFET開啟檢測閾值Vth_on (典型值-140mV)，經過開通延遲Td_on(典型值20ns)，內置MOSFET的溝道開通。

關斷階段

在同步整流內置MOSFET導通期間，同步整流芯片U7612采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值Vth_off (典型值0mV)，經過關斷延遲Td_off (典型值 15ns)，內置MOSFET的溝道關斷。

前沿消隱 (LEB)

在內置MOSFET開通瞬間，同步整流芯片U7612漏-源(Drain- Source)之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致芯片誤關斷，芯片內部集成有前沿消隱電路(LEB)。在內置MOSFET導通后的一段時間內(TLEB，典型值1.3us) ，關斷比較器被屏蔽，無法關斷同步整流MOSFET，消隱時間結束后芯片再正常檢測關斷條件。

最小關斷時間

在內置MOSFET關斷瞬間，同步整流芯片U7612漏-源(Drain- Source)之間會產生電壓振蕩。為避免此類電壓振蕩干擾系統正常工作導致芯片誤開通，芯片內部設置了最小關斷時間(Toff_min，典型值 600ns)。在Toff_min內，開通比較器被屏蔽，無法開通同步整流MOSFET，Toff_min結束后芯片再開始檢測開通條件。