近日，日本市場研究公司富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布了一份備受關(guān)注的行業(yè)研究報(bào)告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術(shù)趨勢》。

該報(bào)告深入分析了功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展趨勢，并預(yù)測2024年功率半導(dǎo)體市場將比上年增長23.4%，市場規(guī)模將達(dá)到2813億日元。預(yù)計(jì)到2035年，這一市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。

報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體市場的增長主要得益于汽車電動(dòng)化趨勢的推動(dòng)。隨著新能源汽車的普及，SiC(碳化硅)裸片因其優(yōu)異的性能成為了市場的主要驅(qū)動(dòng)力。

目前，SiC裸片主要以6英寸為主，但預(yù)計(jì)在未來幾年中，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場需求的增長，8英寸晶圓市場將從2025年開始逐步崛起，預(yù)計(jì)至2035年，8英寸SiC裸晶圓將占據(jù)整個(gè)SiC裸晶圓市場的13.3%。

此外，報(bào)告還提到了其他關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展趨勢。一方面，為了滿足功率半導(dǎo)體日益增長的需求，晶圓直徑的擴(kuò)大成為了行業(yè)內(nèi)的共識(shí)。

除了傳統(tǒng)的硅晶圓逐步向300mm過渡外，SiC裸晶圓市場也預(yù)計(jì)將在未來幾年內(nèi)實(shí)現(xiàn)8英寸(200mm)晶圓的規(guī)?；a(chǎn)。另一方面，用于功率半導(dǎo)體的新型材料，如6英寸(150毫米)GaN(氮化鎵)晶圓和氧化鎵晶圓，也在積極開發(fā)中，這些材料的引入將進(jìn)一步推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。

隨著汽車電動(dòng)化、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體市場的增長潛力巨大。同時(shí)，新型材料和技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，也將為行業(yè)帶來更多的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)。未來，功率半導(dǎo)體市場將繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢，成為推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。