基本半導體推出了一種混合式IGBT（混合碳化硅分立器件）

傳統(tǒng)電力電子應用中，IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD（快恢復二極管）為主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關斷行為的潛力，對開關損耗是很大的拖累。為此，基本半導體研發(fā)推出了一種混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）來解決這一問題，即在IGBT中把續(xù)流二極管用碳化硅肖特基二極管替代硅基FRD，可使IGBT的開通與關斷的潛力得以全部釋放，開關損耗大幅降低。

今天的“SiC科普小課堂”——混合式IGBT話題第五講中，基本半導體市場部總監(jiān)魏煒將從應用角度為大家介紹不同拓撲中混合式IGBT器件的應用優(yōu)勢如何體現(xiàn)，以及基本半導體的產品選型推薦。

基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，在部分應用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT，使IGBT的開關損耗大幅降低，適用于儲能（ESS）、車載充電器（OBC）、不間斷電源（UPS）、光伏組串逆變器等領域。