使用FET的低壓晶體振蕩器電路
我們可以很容易地使用FET和晶體來產生頻率作為低壓晶體振蕩器電路，1.5V-10V電源。
它只能在 1.5 V 的電源電壓和 100 kHz 至 10 MHz 的晶振頻率下工作。
晶體連接到 FET-T1 BF256 的漏極和柵極之間。它以并聯線圈形式在共振模式下運行。
電感L1的頻率穩定性更好，可以在很寬的頻率范圍內使用晶體，雖然晶體不合適，但也可以工作。
使用FET的低壓晶體振蕩器電路
電容器 C1 與晶體連接，作為 180 度返回相位的“填充物”，到 FET 的輸入端。輸出將由 T2 緩沖。
該設計電路經過測試，可在 100 kHz、1 MHz、4 MHz、8 MHz 和 10 MHz 的頻率下運行，最低電壓僅為 1.5 V。
您需要的零件
T1：BF256 FET 晶體管
T2：BC147 NPN 晶體管
C1：1nF 50V （0.001uF） 陶瓷電容器
C2：22nF 50V （0.022uF） 陶瓷電容器
X‘t：100K-10MHz 晶振
R1：4.7M 0.25W電阻
R2：220歐姆 0.25W電阻
審核編輯：陳陳
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