5月28號，貝思科爾舉辦了《芯片封裝熱測試：T3Ster瞬態(tài)熱測試方法與內(nèi)容揭秘》線上直播活動。

在本次直播活動中，貝思科爾的劉烈生作為主講嘉賓，向大家介紹了關(guān)于如何利用T3Ster系統(tǒng)高效精確地測量芯片封裝熱阻，熱阻測試的方法和原理以及參照的標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)介紹芯片封裝熱阻測試載板的設(shè)計(jì)、制作過程及其遵循的標(biāo)準(zhǔn)等內(nèi)容。講師在直播過程中還針對T3Ster工作中可能會遇到的一些問題展開討論，分享與交流。

下面是本次活動中客戶提出的問題，我們來一起看看講師怎么解答的吧！

測試二極管發(fā)熱的位置和實(shí)際應(yīng)用時(shí)候芯片發(fā)熱的位置一樣嗎？

芯片測試的話，測試襯底二極管和正常芯片工作的發(fā)熱區(qū)域很接近，能產(chǎn)生比較大的發(fā)熱功耗，可以用來測試芯片的封裝熱阻。

怎么判斷哪里是jc？

Jc的定義是指半導(dǎo)體器件的熱源部分到封裝外殼的熱阻，如果是芯片的封裝熱阻的話，Jc一般是指結(jié)到頂部外殼的熱阻,可用雙界面分離法測試得到，要測芯片結(jié)到底部熱阻的話，先用雙界面法測量得到Jb（這里值結(jié)-PCB板包含板子的整體熱阻）再通過結(jié)構(gòu)函數(shù)分層獲得結(jié)到底部熱阻。

K系數(shù)標(biāo)定范圍通常選多大？

建議選25-85這個(gè)范圍就可以，每間隔15度取樣一個(gè)溫度點(diǎn)，我們測試時(shí)一般控制溫升在30-60范圍。

一些chiplet芯片非常大，里面包含好幾個(gè)核，測試熱阻的時(shí)候如何測，需要單獨(dú)分開去測試？

需要分開單獨(dú)去測試。

就是一個(gè)IGBT半橋T1T2，單個(gè)測和兩個(gè)一起測有什么區(qū)別，差異大嘛？

差異不會很大，我們測試的是封裝熱阻，建議是T1T2串聯(lián)一起去測試。

T3Ster的每個(gè)通道是一樣的嗎？

T3Ster常規(guī)配置的話是2個(gè)通道(最多可擴(kuò)充到8個(gè)通道)，第一個(gè)通道是T3Ster主機(jī)本身自帶的測試通道，最大輸出能力是10V2A，第二個(gè)通道搭配Booster和外部電源，可擴(kuò)大測量范圍，最常用的是50A30V，搭配不同的Booster和電源最大可做到240A的輸出電流，電壓最大可到150V。

怎么通過微分函數(shù)曲線判斷殼的位置?

微分和積分結(jié)構(gòu)函數(shù)結(jié)合一起看，殼的位置可從雙界面法的最后分離處得到。

加熱電流有4A，一般測試都是用這么大的電流嘛？

加熱電流一般是根據(jù)溫升來選擇，溫升控制在30-60℃范圍，可以先用較小電流測試，看溫升有多少，再調(diào)整至合適的加熱電流。

沒有booster，用小測試電流測出來的熱阻數(shù)據(jù)有參考價(jià)值嗎

沒有booster，最大輸出加熱電流只能到2A，溫升太小的話，電壓的變化太小，會導(dǎo)致數(shù)據(jù)存在偏差，建議增配booster，確保熱阻測試時(shí)溫升能到30℃以上。

能再詳細(xì)的講一下T3Ster測定結(jié)溫的原理嗎？

先用一個(gè)小電流（ma級別）測量器件兩端的導(dǎo)通壓降，將器件通過導(dǎo)熱硅脂安置在溫控裝置上，改變溫控裝置的溫度，設(shè)置25-85溫度范圍，每隔15℃（25-40-55-70-85）測試一次電壓值，獲得電壓和溫度的對應(yīng)關(guān)系（K系數(shù)指），實(shí)際測試時(shí)，將溫控裝置維持在一個(gè)穩(wěn)定值（例如25℃），通過給器件施加大電流（A級別）加熱，讓器件發(fā)熱，加熱到熱平衡狀態(tài)后，關(guān)掉大電流，只有小電流一直維持，持續(xù)采樣器件兩端的電壓值，測量器件降溫過程的瞬態(tài)電壓值，得到降溫的電壓響應(yīng)曲線，經(jīng)過數(shù)據(jù)后處理軟件轉(zhuǎn)換成溫度響應(yīng)曲線，最后得到器件的熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)，器件的結(jié)溫可通過溫度響應(yīng)曲線得到。