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安建半導體出席第36屆功率半導體器件和集成電路國際研討會

JSAB安建科技 ? 來源:JSAB安建科技 ? 2024-06-12 10:29 ? 次閱讀

安建成功入圍口頭報告

在前不久結(jié)束的ISPSD2024 征稿評比中,安建半導體以工作單位獨立參加碳化硅領域投稿,在口頭報告錄取率僅只有12.4%的激烈角逐下,成功入圍口頭報告,再次證明了安建半導體的技術和創(chuàng)新能力。

第36屆功率半導體器件和集成電路國際研討會于2024年6月2日-6日在德國不來梅舉行。安建研發(fā)經(jīng)理劉永博士受邀出席此次會議,并作關于1200V-class SiC器件技術突破的口頭報告(oral presentation),向國際專家、學者等展示公司產(chǎn)品技術進展。安建半導體自成立以來,高度重視碳化硅產(chǎn)品的技術創(chuàng)新,并搭建了完整的器件設計、測試、可靠性驗證管理系統(tǒng)。

關于ISPSD

ISPSD會議 (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)涵蓋了功率半導體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應用的所有方面,是功率半導體器件和功率集成電路領域在國際上最重要、最具影響力的頂級學術會議,被認為是功率半導體器件和集成電路領域的奧林匹克會議,一直以來都是國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學術界爭相發(fā)表重要成果的舞臺。

關于

關于安建

安建半導體(JSAB Technologies Limited)是一家專門從事功率半導體元器件產(chǎn)品設計、研發(fā)及銷售的高科技公司。安建半導體致力于為客戶提供國際一流、國內(nèi)領先的功率半導體器件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:安建半導體參加ISPSD2024國際功率器件與功率集成電路大會并作口頭報告

文章出處:【微信號:gh_73c5d0a32d64,微信公眾號:JSAB安建科技】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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