英飛凌IPAC直播間 | CoolSiC碳化硅直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發(fā)布的3300V高壓SiC產(chǎn)品組合系列，一是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.0m?（25℃條件下），標(biāo)稱電流1000A的模塊；二是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.6m?（25℃條件下），標(biāo)稱電流750A的模塊。

兩款模塊產(chǎn)品均由集成體二極管的SiC MOSFET組成，并通過英飛凌可靠的.XT互連技術(shù)置于低電感XHP 2封裝中。憑借高功率密度、高質(zhì)量、高可靠性的優(yōu)勢，可以從容應(yīng)對運(yùn)行環(huán)境要求更為嚴(yán)苛的工業(yè)級應(yīng)用。

6月25日14：00，我們將為您揭開CoolSiCMOSFET 3300V的神秘面紗，解讀論文、提綱挈領(lǐng)高壓碳化硅產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

直播亮點(diǎn)：

專業(yè)論文解讀，探索高壓CoolSiC MOSFET芯片技術(shù)的獨(dú)特之處

深入了解使用全.XT技術(shù)的XHP2封裝，如何助力高效可靠性的極致發(fā)揮

純技術(shù)干貨分享，帶您領(lǐng)略CoolSiC MOSFET的前沿產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)

嘉賓介紹

波老師

IPAC 常駐主持

負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品在軌道交通等應(yīng)用與技術(shù)支持

趙佳

碳化硅資深專家

負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品在新能源等應(yīng)用與技術(shù)支持