6月28日，SEMI-e第六屆深圳國際半導(dǎo)體展在深圳國際會展中心4/6/8號館圓滿落幕。本次展會精心設(shè)置了三館六大區(qū)，涵蓋了芯片設(shè)計、晶圓制造與封裝、半導(dǎo)體專用設(shè)備與零部件、先進(jìn)材料、第三代半導(dǎo)體/IGBT以及汽車半導(dǎo)體等主要產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。第一天就吸引了23870位來自全球各地的專業(yè)觀眾，50多場精彩的主題活動輪番上演，創(chuàng)新的火花不斷碰撞，為到場觀眾呈現(xiàn)了一場精彩紛呈的科技盛宴。

在本次盛會中，森國科攜其領(lǐng)先的碳化硅功率器件和高端功率IC等系列產(chǎn)品及解決方案，在4號展館璀璨亮相。展館內(nèi)，參觀者絡(luò)繹不絕，森國科的專業(yè)團(tuán)隊與眾多來訪的工程師進(jìn)行了深入的技術(shù)交流和經(jīng)驗(yàn)分享。

得益于森國科多年積累的技術(shù)沉淀與不斷創(chuàng)新的發(fā)展實(shí)力，此次成功斬獲2024SEMI-e年度最具影響力獎項榮譽(yù)，這不僅體現(xiàn)了業(yè)界對森國科強(qiáng)大實(shí)力的高度認(rèn)可，更是對森國科在未來創(chuàng)新與發(fā)展道路上的極大鼓勵。未來，森國科也將會一如既往地堅持創(chuàng)新引領(lǐng)，持續(xù)為低碳、雙碳事業(yè)賦能，助力快速發(fā)展！

森國科展出產(chǎn)品往下翻更精彩SiC二極管

森國科碳化硅二極管產(chǎn)品選型是目前國內(nèi)選型最齊全、封裝最多樣化的，可為工業(yè)電源、快充、充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域提供服務(wù)。

碳化硅MOSFET

森國科推出的碳化硅MOSFET產(chǎn)品具備了高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及低電容等特性，采用帶有單獨(dú)驅(qū)動源引腳的優(yōu)化封裝，有利于節(jié)省開關(guān)損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。在減少寄生電感和優(yōu)化柵極驅(qū)動效率上也表現(xiàn)突出，無鹵素，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

森國科碳化硅MOSFET產(chǎn)品適用于太陽能逆變器、電動汽車電機(jī)驅(qū)動、高壓直流變換器、開關(guān)電源等多個應(yīng)用場景。

碳化硅模塊

森國科推出了1200V碳化硅二極管模塊、碳化硅MOSFET模塊，憑借其超低損耗特性、高工作頻率能力、零關(guān)斷拖尾電流的高效性能以及常閉保護(hù)和高安全性能，廣泛應(yīng)用于充電樁、光伏發(fā)電系統(tǒng)、高效轉(zhuǎn)換器/逆變器、電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)以及智能電網(wǎng)和分布式發(fā)電系統(tǒng)。這些特性使得它們在提高系統(tǒng)效率和可靠性方面表現(xiàn)出色，為用戶帶來了顯著的優(yōu)勢。

SJ MOSFET

森國科的超結(jié)MOS場效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，顯著降低了開關(guān)與導(dǎo)通過程中的能量損耗，同時具備了較低的開關(guān)噪音。該系列產(chǎn)品已順利通過雪崩測試，驗(yàn)證了其出色的性能和可靠性，非常適合應(yīng)用于需要高性能功率管理的場景，如硬交換和軟交換拓?fù)洹?a target="_blank">PFC電路、工業(yè)和消費(fèi)電源中。

功率芯片＆板卡＆方案

森國科功率IC產(chǎn)品采用了先進(jìn)的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動、BLDC電機(jī)驅(qū)動。其團(tuán)隊在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)模混合、電機(jī)驅(qū)動算法方面有深厚的積累，成功推出了MCU、預(yù)驅(qū)芯片、GateDriver、IPM功率模塊等多款產(chǎn)品，并提供配套的高性能、高性價比的多款智能小家電解決方案。

行車記錄儀板卡＆方案 面向網(wǎng)約車視頻監(jiān)控市場，森國科推出了國內(nèi)領(lǐng)先的視頻處理芯片及4G記錄儀方案。方案采用了先進(jìn)的圖像處理技術(shù)和脫敏技術(shù)，能夠在各種駕駛環(huán)境下捕捉高清晰度的圖像，為駕駛場景提供了安全、可靠的記錄。同時，設(shè)計考慮到了與車輛原有系統(tǒng)的安裝對接，使得整車可以更加方便地將記錄儀功能集成到車輛中。隨著產(chǎn)品型號及方案的逐漸完善，使得森國科在AI DVR領(lǐng)域中的市場占有率得到了進(jìn)一步的提高。

審核編輯：彭菁