降本增效取得新進展，拉普拉斯申請晶圓圖形化工藝專利
來源：金融界
近日，據(jù)天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱“拉普拉斯”）申請一項名為“晶圓圖形化工藝”的專利，公開號CN202410574469.X。
專利摘要顯示，本申請?zhí)岢鲆环N晶圓圖形化工藝，包括：將中子掩膜板置于晶圓的表面；產(chǎn)生中子流射向中子掩膜板；關(guān)閉中子流，移除中子掩膜板；去除第一部分以及與第一部分對應的晶圓；去除第二部分。本申請的晶圓圖形化工藝，利用中子流穿過中子掩膜板的間隙對晶圓表面的含硼涂層進行選擇性轟擊，使被轟擊的含硼涂層（第一部分）發(fā)生質(zhì)變，從而能使第一部分以及與第一部分對應的部分晶圓被去除，進而完成圖形化。本申請的晶圓圖形化工藝無需極紫外光，也就沒有EUV光刻工藝中由于光線反射過程造成的能量損耗，因而能量利用率更高。本申請的晶圓圖形化工藝無需昂貴、限制較多的EUV光源，無需超高精度加工的光路系統(tǒng)，因此有利于節(jié)約成本，且適用范圍更廣。
審核編輯 黃宇
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