(電子發燒友網報道 文/章鷹）“半導體解決方案是實現氣候目標的關鍵，英飛凌可以通過半導體解決方案，達到低碳化的效果。寬禁帶半導體SiC、GaN，體積比較小，密度高，效能高，在解決氣候問題的時候可以發揮最優效果。作為行業領導者，英飛凌憑借持續的技術革新與市場布局，在寬禁帶半導體領域發揮著引領作用，致力于滿足經濟社會發展對于更高能效、更環保的半導體產品的需求。”7月9日，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區負責人潘大偉在2024英飛凌寬禁帶論壇上表示。

英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區負責人潘大偉

7月8日到10日，在慕尼黑上海電子展E4館內，英飛凌展示了第三代半導體的產品解決方案。記者探訪展臺的時候，看到如下方案：一是新一代碳化硅技術CoolSiCTM MOSFET的相關產品；二是用于2000V CoolSiCTM MOSFET的相關產品。展臺工作人員介紹，英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiCTM MOSFET Gen2技術，新產品與上一代產品相比，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，顯著提升整體能效。

新一代碳化硅技術CoolSiCTM MOSFET

圖：用于2000V CoolSiCTM MOSFET 62mm模塊的半橋柵極驅動器評估板

Yole Group化合物半導體資深分析師邱柏順從行業分析的角度向與會者分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發展趨勢及展望。

Yole Group化合物半導體資深分析師邱柏順

邱柏順指出，在全球追求綠色能源，減碳大目標下，全球能源領域有三大趨勢日益明顯：1、電氣化，任何東西都要變成電來驅動，什么樣的半導體可以帶來比較好的性能，2、使用綠色能源，包括光伏、風電；3、使用器件達到更加節能的效果，新器件需要更高功率，系統功耗更小，碳排放量更小。

邱柏順分享最新Yole數據，到 2029 年，預計 WBG 將占全球電力電子市場的近 33%，其中 SiC 和 GaN 分別占 26.8% 和 6.3%。從消費電子、數據中心到新能源汽車帶動GaN市場需求的增長，2029年GaN的市場容量會達到22億美元，受到工業和汽車應用的推動，SiC的市場容量2029年將達到100億美元。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區市場營銷負責人沈璐

在接下來的《寬禁帶創新技術加速低碳化和數字化》主題演講中，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區市場營銷負責人沈璐表示，低碳化的背后是電氣化，不僅包括發電端，還包括用電端。根據國際能源署的預測，到2030年，全球對于光伏裝機量的總需求達到了5400吉瓦，這個數字相當于2023年全球光伏裝機量的4倍。到2030年，全球新能源汽車將會達到5400萬輛，是2023年全球新能源汽車銷量的三倍左右。可再生能源以及新能源發展剛剛開始啟航。她表示，英飛凌是全球功率系統的半導體領導者，在硅、碳化硅、氮化鎵領域有20多年的經驗。技術、工藝、解決方案英飛凌都有豐富的經驗。

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區市場營銷負責人劉偉

英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區市場營銷負責人劉偉表示，基于在SiC領域的豐厚積累，英飛凌擁有40多年對SiC工藝制程、封裝和失效機理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠以及業界最廣泛的SiC產品組合、應用市場、客戶群覆蓋。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技術，與上一代產品相比，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，顯著提升整體能效。

他還強調英飛凌GaN為下一代電子產品注入動力。英飛凌的GaN產品包括高壓和中壓的BDS、感測、驅動和控制系列，可廣泛應用于AI服務器、車載充電器（OBC）、光伏、電機控制、充電器和適配器等。比如在AI服務器領域，基于AI系統對更高功率的需求，進一步增加了半導體的使用量。

研發工程師在使用碳化硅設計和優化自身方案時候，面對五大挑戰。在英飛凌看來，有哪些解決方案能幫助客戶？一、成本端，競爭會帶來更高效的產出。英飛凌擁有全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠。二、英飛凌的碳化硅技術擁有長期清晰明確的技術迭代以及升級路線圖。三、規模，規模背后意味著更廣泛的產品組合，更明確的市場定位和市場覆蓋以及最終終端客戶的覆蓋。英飛凌具備業界最廣泛的SiC產品組合、應用市場以及客戶群覆蓋。

在技術市場方面，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區技術市場負責人陳志豪和英飛凌科技高級技術總監、英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區技術市場負責人陳立烽則從技術應用的角度介紹了英飛凌寬禁帶產品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三種半導體材料器件的技術特性對比，指出雖然硅超級結在低開關頻率中占優，但SiC和GaN終將主導新型拓撲結構和高頻應用；結合CoolSiC?和CoolGaN?的技術特性及優勢，分別在不同領域的典型應用案例，如在公共電源轉換（PCS）系統中采用SiC模塊，可實現>99%的效率，CoolGaN?雙向開關在微型逆變器中的應用等。

7月9日下午，在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）分論壇上，來自英飛凌及行業內的近20位嘉賓，從市場趨勢、應用方案、技術創新等多個維度為與會者呈現了兩場精彩的寬禁帶半導體知識盛宴。市場趨勢上，深入剖析了新能源汽車、光伏、儲能、服務器電源等關鍵領域對寬禁帶半導體需求的快速增長，同時，隨著技術的不斷成熟和成本的逐步下降，寬禁帶半導體將迎來更加廣闊的發展空間。

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