根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司TrendForce最新公布的一份深入詳盡的研究報(bào)告，得益于對(duì)位元需求持續(xù)攀升，市場(chǎng)供求狀況得到顯著改善從而帶動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)步上升，再加上高帶寬內(nèi)存（HBM）等具有極高附加值的創(chuàng)新型產(chǎn)品的涌現(xiàn)，預(yù)計(jì)到2024年度，全球DRAM和NAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)收入有望實(shí)現(xiàn)75%和77%的驚人同比增長(zhǎng)。而在此之后的2025年度，這兩大領(lǐng)域的營(yíng)收增長(zhǎng)勢(shì)頭仍將持續(xù)，預(yù)計(jì)DRAM和NAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)收入將分別以51%和29%的速度繼續(xù)攀升，創(chuàng)造出前所未有的歷史新紀(jì)錄。

據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，DRAM的平均售價(jià)在2024年度將有望大幅上漲53%，而到了2025年度，這一數(shù)字還將進(jìn)一步躍升至35%，從而有力地推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)收入分別達(dá)到907億美元和1365億美元的驚人水平。推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自以下四個(gè)方面：首先是HBM的異軍突起，預(yù)計(jì)到2024年度，HBM將為DRAM的位元出貨量貢獻(xiàn)5%，并帶來(lái)20%的營(yíng)收增幅；其次是DRAM的正常迭代更新；再次是各大原廠紛紛削減資本支出和產(chǎn)能分配，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化；最后是服務(wù)器需求的逐漸回暖。

除此之外，DDR5和LPDDR5/5X等具備較高附加值的產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用也有助于提升DRAM的平均售價(jià)。預(yù)計(jì)到2024年度和2025年度，DDR5將分別為服務(wù)器DRAM的位元出貨量貢獻(xiàn)40%和60%-65%的份額，而LPDDR5/5X則將為移動(dòng)DRAM的位元出貨量貢獻(xiàn)50%和60%的份額。

至于NAND閃存領(lǐng)域，預(yù)計(jì)到2024年度和2025年度，該產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)收入將分別達(dá)到674億美元和870億美元。推動(dòng)NAND閃存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Πǎ浩髽I(yè)級(jí)大容量QLC固態(tài)硬盤(pán)的迅速普及、智能手機(jī)對(duì)QLC UFS存儲(chǔ)的大量采用、各大原廠削減資本支出和產(chǎn)能分配的策略調(diào)整，以及服務(wù)器需求的逐漸回暖。其中，QLC將在2024年度為NAND閃存的位元出貨量貢獻(xiàn)20%的份額，而到了2025年度，這一比例將會(huì)進(jìn)一步提升。此外，QLC技術(shù)也將逐漸滲透到智能手機(jī)領(lǐng)域，預(yù)計(jì)從今年第四季度起，部分知名廠商將開(kāi)始推出相應(yīng)的解決方案，而蘋(píng)果公司則計(jì)劃自2026年度起，將QLC技術(shù)引入其iPhone系列產(chǎn)品中。

伴隨著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)營(yíng)收創(chuàng)下新高，各大制造商將擁有充足的資金用于加速投資。預(yù)計(jì)到2025年度，DRAM和NAND閃存產(chǎn)業(yè)的資本支出將分別以25%和10%的速度繼續(xù)增長(zhǎng)。與此同時(shí)，這一趨勢(shì)也將帶動(dòng)對(duì)硅晶圓、化學(xué)品等上游原材料的需求增加，使得存儲(chǔ)器的制造成本不可避免地上漲。然而，對(duì)于ODM/OEM廠商而言，這種價(jià)格上漲并不一定能夠完全體現(xiàn)在產(chǎn)品的零售價(jià)格上，因此可能會(huì)導(dǎo)致利潤(rùn)率的下降，進(jìn)而影響到終端銷售業(yè)績(jī)和市場(chǎng)需求。