知名存儲品牌美光近日正式宣布，搭載其研發的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術的固態硬盤產品已然問世，并已批量上市，成為全球業內首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產品所采用的堆疊層數高達276層，數據傳輸速率達到驚人的3.6 GB/s，展現出卓越的NAND輸入/輸出（I/O）性能，完美滿足了人工智能（AI）以及其他各類數據密集型應用場景對高速吞吐能力的嚴苛要求，為用戶帶來無與倫比的使用體驗，無論是個人設備、邊緣服務器、企業級應用還是云數據中心都能游刃有余。

美光科技和產品執行副總裁斯科特·德博爾（Scott DeBoer）對此表示：“美光G9 NAND技術的大規模量產充分展示了我們在制程工藝技術和設計創新領域的強大實力，為市場呈現出領先的密度水平，實現了更為緊湊且高效的存儲解決方案，為廣大消費者和企業帶來顯著的價值回報?！?/p>

相較于市場上現有同類型NAND解決方案，G9 NAND的每顆芯片寫入帶寬和讀取帶寬分別超出99%和88%，共同推動了固態硬盤和嵌入式NAND解決方案的性能與能效的大幅提升。與前一代NAND產品保持一致，G9 NAND同樣采用了11.5mm x 13.5mm的緊湊封裝設計，相較同類產品節省了28%的占用空間，堪稱優秀的小尺寸、高密度NAND閃存設計典范。美光通過在更小的體積中實現更高的密度，極大拓展了各類應用場景的設計可能性。

此外，美光還推出了全新的2650系列固態硬盤產品，融合了最新的3D TLC NAND閃存技術。該系列產品采用單面芯片設計，支持PCIe 4.0×4接口，提供包括M.2 2230 / 2242 / 2280在內的多種外形規格供用戶選擇，最高順序讀取和順序寫入速度分別達到7000 MB/s和6000 MB/s，最高4K隨機讀取/寫入均達到1M IOPS，同時提供256GB、512GB和1TB三種容量版本，對應的總寫入字節數（TBW）分別為200TB、300TB和600TB。據悉，與同類競品相比，美光2650系列固態硬盤的連續讀取性能提高了70%，連續寫入性能飆升103%，隨機讀取性能更是躍升156%，隨機寫入性能也提升了85%。除面向客戶端OEM市場外，G9 NAND還將廣泛應用于客戶端組件和英睿達（Crucial）的固態硬盤消費類產品之中。