三星量產第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數紀錄
三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業中最高的可量產堆疊層數。據悉，該公司還計劃于2025年推出430層V-NAND產品。
有業內人士分析稱，三星此舉主要是為了應對人工智能（AI）領域對NAND閃存的巨大需求。隨著AI從“訓練”向“推理”轉變，需要處理海量的圖像和視頻等數據，因此對大容量存儲設備的需求日益增長。同時，觀察者們也注意到，三星對其NAND業務在第一季度的盈利狀況持樂觀態度。
值得一提的是，三星即將推出的第九代V-NAND采用了雙層鍵合技術以提高生產效率，這一突破性進展打破了之前業內專家預測的需使用三層鍵合技術才能實現300層的觀點。
研究機構TechInsights預測，三星將在2025年下半年批量生產第十代V-NAND，堆疊層數可高達430層，并直接越過350層。
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