三星西安NAND閃存工廠將建第九代產線
近日，據韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術升級與產能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術)轉換至第八代V-NAND(238層技術)的基礎上，年內還將進一步邁出重要一步——建設第九代V-NAND(286層技術)產線。
報道指出，為了實現這一目標，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產第九代V-NAND所需的新設備。這些先進設備的導入，將為產線建設提供堅實的基礎，確保技術升級順利進行。
據悉，三星西安NAND廠的目標是在年底前建成一條晶圓吞吐量達到每月2000至5000片的第九代V-NAND產線。這一產能的提升，不僅將滿足市場對高性能NAND閃存芯片日益增長的需求，也將進一步鞏固三星在全球NAND閃存市場的領先地位。
此次產線建設是三星在NAND閃存領域持續技術創新和產能擴張的重要體現。隨著第九代V-NAND產線的建成投產，三星將能夠為客戶提供更加先進、可靠的存儲解決方案，推動全球存儲市場的持續發展。
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