三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產”
據外媒最新報道，為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題，三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施，通過工藝轉換實現“自然減產”。
據業內消息透露，自去年年底以來，三星電子和SK海力士正積極推進NAND閃存生產線的技術遷移工作，即將舊工藝生產線升級為更先進的新工藝。這一過程中，廠商需要引進并安裝全新的生產設備，整個升級周期大約耗時三個月。
在此期間，由于新設備尚未正式投入使用，原有的生產線將暫時無法進行晶圓加工，從而導致NAND閃存的出貨量自然減少。這種因工藝轉換而導致的減產，并非廠商主動減少晶圓投入的結果，因此在半導體行業內被形象地稱為“自然減產”。
通過實施“自然減產”措施，三星電子與SK海力士旨在調整NAND閃存的供應節奏，以更好地適應市場需求，緩解供應過剩帶來的壓力。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
NAND閃存
+關注
關注
2文章
227瀏覽量
23377 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
994瀏覽量
39610 -
三星
+關注
關注
1文章
1698瀏覽量
32712
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續創新，在NAND閃存（
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發燒友網綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產品
SK海力士已完成收購英特爾NAND業務部門的第二（最終）階段交易
3 月 28 日消息，根據 SK 海力士向韓國金融監管機構 FSS 披露的文件，該企業已在當地時間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 SSD 業務案的第二階段，交易正式完成。 這筆
SK海力士與三星或停用中國EDA軟件
列入貿易限制名單，也對SK海力士的決策產生了影響。業內普遍預測，SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件，而三星電子也可能緊隨其后，做出類似
SK海力士計劃減產NAND Flash存儲器以應對市場下滑
產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產
三星電子削減NAND閃存產量
價格將出現暴跌。在這樣的市場環境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過去那種壓倒性的生產力。 據報道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的
三星削減中國西安NAND閃存產量應對市場變化
產量將從平均20萬片減少至約17萬片。同時，位于韓國華城的生產線也在進行相應調整，整體產能有所下降。 此次減產舉措體現了三星電子在激烈市場競爭中的盈利能力保護策略。隨著SK海力士等競爭
三星與SK海力士攜手推進LPDDR6-PIM產品標準化
據外媒最新報道，韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結盟，共同致力于推動LPDDR6的存內計算（Processing In Memory，簡稱PIM）產品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體
隨著三星電子定于10月8日發布第三季度初步財務報告，市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業利潤的預期差距如何進一步拉大。
SK
三星、SK海力士及美光正全力推進HBM產能擴張計劃
近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存（HBM）的產能擴張計劃。據預測，至2025年，這一領域的新增產量將激增至27.6萬個單位，推動年度總
SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會上，SK 海力士憑借其創新實力，率先向業界展示了尚未正式發布規范的UFS 4.1通用閃存新品，再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK
SK海力士加速NAND研發，400+層閃存量產在即
韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新，據韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資
據最新消息，SK海力士正醞釀一項重要財務戰略，考慮推動其NAND與SSD業務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK
工商網監
評論