8月27日,在Elexcon2024深圳國際電子展上,威兆半導體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,這款產(chǎn)品采用了緊湊高效的SOT-227封裝,專為追求能效與高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)而設計。
功率器件市場在未來兩年市場規(guī)模和技術趨勢如何?威兆半導體這款產(chǎn)品的性能優(yōu)勢如何?在SiC MOSFET,威兆半導體做了哪些布局?本文將進行詳細解讀。
全球功率器件市場規(guī)模持續(xù)增長,三大應用驅(qū)動
在全球能源轉(zhuǎn)型與數(shù)字化快速發(fā)展的情況下,功率MOSFET、IGBT、功率二級管、功率雙極晶體管(BJT)和晶閘管等分立器件作為電力系統(tǒng)的核心元件,承載著推動技術創(chuàng)新與市場拓展的重要使命。
根據(jù)WSTS預測,2024年全球半導體市場較2023年增長16%,其中分立器件規(guī)模達10%。中國功率器件市場規(guī)模預計將占據(jù)全球市場的50%以上,以MOSFET和IGBT為代表的晶體管占據(jù)了絕大部分市場份額。
國際調(diào)研機構Omdia預測,2025年車規(guī)級芯片(包括功率芯片在內(nèi))的全球市場規(guī)模將達到804億美元。相對于燃油汽車,新能源汽車對功率器件的需求較大,包括DC-DC模塊、電機控制模塊、電池管理系統(tǒng)、OBC等均需要用到功率半導體元器件。2025年,功率半導體在汽車芯片的占比將達到40%,達到235億美元。威兆半導體在汽車芯片領域投入大量資源并且建立了CNAS實驗室,已經(jīng)通過IATF16949認證。
威兆半導體推出700V SiC MOSFET新品,具備兩大優(yōu)勢
“這是一款高性能的SiC MOSFET,HCF2030MR70KH0采用了第三代半導體SiC技術,實現(xiàn)極低的開關損耗和低導通電阻,RDS達到25mΩ,最大值是30 mΩ,耐壓700V,ID為65A,反向恢復性能(Qrr極低)。產(chǎn)品的主要優(yōu)勢能夠大幅度降低開關過程中的能量損失,顯著提升系統(tǒng)效率,減少熱損耗。” 威兆半導體高級市場經(jīng)理李海生對電子發(fā)燒友記者表示,“這款產(chǎn)品主要應用在新能源汽車,風光儲能、工業(yè)等應用,為客戶的產(chǎn)品提升性能。”
據(jù)李海生介紹,威兆半導體在汽車領域主要聚焦電力系統(tǒng)、電機系統(tǒng)和燈光系統(tǒng),威兆半導體在充電樁方案中常用的超結(jié)MOS和IGBT都有布局,包括650V20mΩ、650V30mΩ、650V70mΩ等規(guī)格的超結(jié)MOS,性能參數(shù)接近國外同類最新產(chǎn)品,其寄生二極管都具有超快的恢復特性;器件采用多層外延工藝,具有非常好的可靠性和壽命,適合工業(yè)汽車領域的應用。IGBT規(guī)格有650V40A、650V60A、650V75A,都是高頻產(chǎn)品,采用最新的溝槽柵場截止工藝,具有動態(tài)損耗小、飽和壓降低、抗沖擊能力強等特點。
據(jù)悉,威兆半導體在2023年5月就推出了1200V40mohm SICMOS單管產(chǎn)品,該產(chǎn)品采用自對準Planar技術和新型柵氧氮化技術,具有溝道密度高、導通壓降低、溝道遷移率高、界面態(tài)低、參數(shù)一致性好,可靠性高等特點,其性能達到同行先進水平。
此次,威兆半導體推出全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,不僅實現(xiàn)了極低的開關損耗,還兼具低導通電阻與卓越的反向恢復性能(Qrr極低),能夠大幅度降低開關過程中的能量損失,顯著提升系統(tǒng)效率,減少熱損耗。威兆半導體在SiC MOSFET產(chǎn)品線進一步豐富,將全面助力新能源汽車、風光儲能和工業(yè)領域的客戶產(chǎn)品落地。
本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng),轉(zhuǎn)載請注明以上來源。微信號zy1052625525。需入群交流,請?zhí)砑游⑿舉lecfans999,投稿爆料采訪需求,請發(fā)郵箱zhangying@huaqiu.com。
-
新能源汽車
+關注
關注
141文章
11000瀏覽量
102721 -
MOSFET
+關注
關注
150文章
8620瀏覽量
220525 -
IGBT
+關注
關注
1278文章
4071瀏覽量
254609 -
SiC
+關注
關注
31文章
3226瀏覽量
65282 -
儲能
+關注
關注
11文章
2203瀏覽量
34429 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3066瀏覽量
50484 -
威兆半導體
+關注
關注
1文章
10瀏覽量
139
發(fā)布評論請先 登錄
基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優(yōu)勢

SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關與卓越熱管理

晶科能源推出全新一代藍鯨SunTera G3 6.25MWh電池儲能系統(tǒng)
海外儲能PCS市場競爭趨勢:基于SiC碳化硅功率模塊的高效率高壽命
onsemi推出新一代SiC智能電力模塊,助力降低能耗與系統(tǒng)成本

意法半導體推出新一代專有硅光技術
溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構和應用
AUTO TECH China 2025 廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會:綠色動力,智領未來

第三代半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
意法半導體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術
解碼電芯"大"趨勢 蘭鈞新能源攜手中車株洲所重塑新一代儲能電芯

評論