威兆半導體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET
在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，該產(chǎn)品以其卓越的性能和創(chuàng)新的設計，成為展會上一大亮點。
HCF2030MR70KH0采用了緊湊高效的SOT-227封裝，專為追求極致能效與高可靠性的功率轉換系統(tǒng)量身打造。得益于先進的第三代半導體SiC技術，該MOSFET在開關損耗與導通電阻方面實現(xiàn)了重大突破，RDS（on）低至25mΩ（最大值30mΩ），同時耐壓高達700V，連續(xù)漏極電流ID可達65A，展現(xiàn)出非凡的電氣性能。
尤為值得一提的是，HCF2030MR70KH0在反向恢復性能上同樣表現(xiàn)出色，Qrr極低，這意味著在開關過程中能夠大幅度降低能量損失，顯著提升系統(tǒng)整體效率，并有效減少熱損耗。這一特性對于提升電子設備的工作穩(wěn)定性、延長使用壽命具有重要意義。
威兆半導體的這一創(chuàng)新成果，不僅展現(xiàn)了公司在SiC MOSFET領域的深厚技術積累，更為功率轉換系統(tǒng)的高效化、綠色化發(fā)展提供了強有力的支持。隨著新能源汽車、智能電網(wǎng)、工業(yè)控制等領域的快速發(fā)展，對高效、可靠功率轉換系統(tǒng)的需求日益迫切，HCF2030MR70KH0的推出無疑將為這些領域帶來革命性的變化。
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