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基于lm358單片機掉電保護電路設計

電子設計 ? 來源:互聯網 ? 作者:佚名 ? 2017-12-05 07:31 ? 次閱讀
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掉電保護簡介
掉電數據保護是系統設備一個重要的功能。

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目前,掉電數據保護的方法主要有2種:
(1)加足夠容量備用蓄電池,使系統掉電后繼續工作;
(2)不加備用電池,把掉電時需要保護的數據存儲在非易失性存儲器中,如FLASH和EEPROM
第一種方法器件體積大、費用高并且蓄電池壽命短;第二種方法簡單,但擦寫器件的壽命有限。本文在第二種的基礎上提出一種改進方法,即利用LM358作為電壓比較器,當檢測到系統掉電時才將數據寫入EEPROM中。該方法不僅實現了系統數據掉電的保護,而且延長了EEPROM的壽命。
基于LM358的單片機掉電保護電路設計

9207_162902464.png

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如圖1,通過調節R2,使系統正常供電時,Ua》Ub=3.5V,c端輸出高電平;當系統掉電時,因二極管D1的隔離,使LM358得不到供電。由于電容C2和電感L的存在,電容C2和電感L1繼續為單片機提供短暫時供電,并且因下拉電阻R5的存在,使得c端輸出低電平。用于觸發單片機INT0中斷。
根據STC12C5A60S2系列單片機資料,對EEPROM寫一個字節和擦除一個扇區所需的時間分別為55μs和21ms。正常模式下,典型功耗為2mA-7mA。5V單片機和3.3V單片機對EEPROM進行操作的有效最低電壓分別為Umin=3.7V和Umin=2.4V。
系統掉電后,等效電路模型為RLC串聯回路。放電過程時電路的微分方程為:
根據R、L和C的參數值的不同,可分為欠阻尼振蕩狀態、臨界阻尼狀態、過阻尼狀態。上面的方程可分為以下三種:
綜上所述:當負載R一定時,選取合適的電容和電感(本文選取C 2 =6600uf/25V、L 1 =0.1H)。L 1 和C 2 的具體參數可通過試驗測試得到。只要u c (t)從初始狀態的u c (t)| t=0 衰減到u c (t)| t=t0 =U min 的時間大于維持觸發中斷對EEPROM進行操作所需的時間t0就能滿足系統正常工作的要求。
單片機軟件設計
主程序和中斷服務子程序流程圖分別如下圖2和圖3所示。

9207_162937074.png

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圖2:主程序

9207_163016951.png

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圖3:中斷服務子程序


與本設計有關的程序如下:
void main(void)
{
??
Byte_Read(Address);
While(1)
{??}
}
void INT0_int()interrupt 0
{
Sector_Erase(Address);
Byte_Program(Address,Date);
Delay(XX); //延時,確保系統可靠
}
分析:系統掉電時,INT0中斷被觸發,在中斷服務子函數中對EEPROM進行擦除和寫的操作。
總結
該系統的實現,應用于二維運動控制平臺。系統掉電時,X軸和Y軸坐標以及其他參數被寫入EEPROM中。系統重新上電后,讀取出存儲在EEPROM里X軸和Y軸坐標及其他參數,工作平臺以該位置為起點繼續沿著原設定的位置運動。
本文的核心就是基于LM358作為電壓比較器,檢測到系統掉電時才對EEPROM進行擦寫,避免了每執行一遍程序對EEPROM進行擦除一次而造成其壽命短的問題。軟、硬件結構設計簡單,提高了系統的實用性。
本文給出了典型的應用程序,具有良好的可移植性。加入循環語句可以把多個數據存EEPROM或從EEPROM里讀出。

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