來源：集邦化合物半導體

10月30日，長飛先進武漢基地相關(guān)負責人對外介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月設(shè)備即將進駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預計2025年5月可以量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。

source:光谷融媒體中心

據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域。該項目于2023年8月25日落戶武漢，并于7天后動工建設(shè)。今年6月，項目主體結(jié)構(gòu)全面封頂。按照原計劃，項目將于2025年1月設(shè)備搬入，2025年7月量產(chǎn)通線，2026年年底達到滿產(chǎn)。截止目前項目最新動態(tài)顯示，項目提前了2個月的進度。

source:光谷融媒體中心

值得一提的是，長飛先進武漢碳化硅基地加速建設(shè)的同時，其在蕪湖的第三代半導體項目也迎來了新進展。10月29日，據(jù)蕪湖市生態(tài)局披露的建設(shè)項目環(huán)評審批公告顯示，安徽長飛先進將對其位于蕪湖市弋江區(qū)的第三代半導體項目進行改造，具體內(nèi)容為：對現(xiàn)有研發(fā)方案中6萬片/年的6英寸碳化硅半導體芯片和1.2萬片/年的4、6英寸氮化鎵半導體芯片進行研發(fā)工藝的改進，提高研發(fā)產(chǎn)品的質(zhì)量，優(yōu)化研發(fā)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)，研發(fā)產(chǎn)能保持不變。

據(jù)悉，該項目由長飛先進全資子公司蕪湖太赫茲工程中心有限公司負責。項目于2017年6月動工建設(shè)，2021年完成自主驗收，公司后續(xù)在2022年對項目進行了擴產(chǎn)。

【近期會議】

11月28-29日，“第二屆半導體先進封測產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新大會”將再次與各位相見于廈門，秉承“延續(xù)去年，創(chuàng)新今年”的思想，仍將由云天半導體與廈門大學聯(lián)合主辦，雅時國際商訊承辦，邀您齊聚廈門·海滄融信華邑酒店共探行業(yè)發(fā)展！誠邀您報名參會：https://w.lwc.cn/s/n6FFne

聲明：本網(wǎng)站部分文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò)，轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播。 轉(zhuǎn)載文章版權(quán)歸原作者所有，如有異議，請聯(lián)系我們修改或刪除。聯(lián)系郵箱：viviz@actintl.com.hk， 電話：0755-25988573

審核編輯 黃宇