氬離子拋光技術(shù):頁巖樣品制備
頁巖,這種由高嶺石、水云母等黏土礦物經(jīng)脫水膠結(jié)形成的沉積巖,以其層狀結(jié)構(gòu)而著稱。按成分差異,頁巖可被劃分為炭質(zhì)、鈣質(zhì)、砂質(zhì)和硅質(zhì)等多種類型,其中硅質(zhì)頁巖因其較高的強(qiáng)度而較為特殊。
![wKgZomcoU-CAfXueAA3GyE7AtcI668.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/0A/C6/wKgZomcoU-CAfXueAA3GyE7AtcI668.png)
頁巖中的微觀孔隙和裂隙是頁巖氣的重要儲集空間和運(yùn)移通道,這些孔隙的發(fā)育程度直接決定了頁巖氣的儲量及其勘探開發(fā)潛力。孔隙形態(tài)多樣,包括顆粒表面溶蝕孔隙、顆粒間孔隙以及有機(jī)質(zhì)內(nèi)部孔隙等,孔徑跨度從幾十納米至幾微米。
顯微鏡(SEM)觀察,為頁巖樣品的制備提供了一種創(chuàng)新的解決方案。SEM在沉積巖研究中至關(guān)重要,能夠識別有機(jī)質(zhì)母質(zhì)類型,研究粘土礦物、鈣質(zhì)超微化石以及儲集巖等,對石油地質(zhì)行業(yè)具有重大影響。鑒于頁巖等樣品內(nèi)部儲氣的孔隙通常在納米級別,制備樣品時需采取特殊手段防止污染和形變,以確保電鏡測試的準(zhǔn)確性。
氬離子拋光/切割技術(shù)的優(yōu)勢
傳統(tǒng)的頁巖SEM制樣方法,如手動或機(jī)械研磨,常因樣品內(nèi)部微小尺度結(jié)構(gòu)在研磨過程中造成的機(jī)械劃痕、污染和形變等損傷,難以獲得真實(shí)的形貌,難以觀察到內(nèi)部的真實(shí)微區(qū)。而氬離子拋光(CP法拋光)作為一種新型制樣方式,能夠顯著提高樣品表面的平整度,減少機(jī)械損傷,更真實(shí)地反映樣品的微觀結(jié)構(gòu)。
![wKgZoWcoU_CAQh8SAAjWyWHSk-M796.png](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F4/3F/wKgZoWcoU_CAQh8SAAjWyWHSk-M796.png)
氬離子拋光/CP法制樣在頁巖氣行業(yè)中主要用于含有微納米級別孔隙的樣品、軟硬不同材質(zhì)樣品的精密制樣,解決了機(jī)械研磨拋光可能堵塞孔隙、不同材質(zhì)相互污染以及樣品應(yīng)力損傷等問題。
![wKgaoWcoU_uACsupAAfgROH81MM278.png](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F4/3F/wKgaoWcoU_uACsupAAfgROH81MM278.png)
氬離子拋光、切割服務(wù),利用氬離子精密拋光技術(shù),能夠在不損傷樣品的情況下,高精度地揭示礦物中納米級的細(xì)小孔隙,為頁巖氣勘探和開發(fā)提供重要數(shù)據(jù)。
觀察實(shí)驗(yàn)過程:
1. 選取合適大小的頁巖塊,先用砂紙由粗到細(xì)進(jìn)行預(yù)磨。
2. 將磨好的頁巖樣品薄片放入氬離子拋光/切割設(shè)備中。
3. 設(shè)定合適的工作參數(shù),包括電壓、拋光切割時間、離子束流、溫度、拋光角度等。
4. 使用氬離子束轟擊樣品表面,進(jìn)行拋光/切割。
5. 將拋光好的樣品用導(dǎo)電銀膠固定在樣品臺上,進(jìn)行噴金處理。
6. 噴金完畢后,進(jìn)行電鏡觀察。
總結(jié)
通過這一流程,可以獲得適宜于BSE模式觀察的光滑平整樣品表面,利用背散射電子成像技術(shù)區(qū)分有機(jī)質(zhì)和鐵礦質(zhì),直觀展現(xiàn)孔隙的大小、性質(zhì)及分布特點(diǎn)。
氬離子拋光技術(shù)以其非接觸式加工、無應(yīng)力損傷、超精密加工等優(yōu)勢,在材料科學(xué)和微觀分析領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。它不僅能夠提供高質(zhì)量的樣品表面,而且適用于多種材料,包括硬度較高的金屬、陶瓷以及柔軟的生物樣本。盡管氬離子拋光設(shè)備成本較高,技術(shù)復(fù)雜性也較高,但其在提高EBSD分析準(zhǔn)確性、減少樣品制備時間、保護(hù)樣品免受熱損傷等方面的優(yōu)勢,使其成為頁巖電鏡制樣的理想選擇。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,氬離子拋光技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⑦M(jìn)一步擴(kuò)大,為科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)提供更多的可能性。
-
機(jī)械
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
1574瀏覽量
40561 -
SEM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
219瀏覽量
14443 -
電鏡
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
89瀏覽量
9407
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
詳細(xì)解讀——FIB-SEM技術(shù)(聚焦離子束)制備透射電鏡(TEM)樣品
![詳細(xì)解讀——FIB-SEM<b class='flag-5'>技術(shù)</b>(聚焦<b class='flag-5'>離子</b>束)<b class='flag-5'>制備</b>透射<b class='flag-5'>電鏡</b>(TEM)<b class='flag-5'>樣品</b>](https://file1.elecfans.com/web3/M00/03/AF/wKgZPGdrgtyAN4ToAABxqpr8fLs330.png)
聚焦離子束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制
![聚焦<b class='flag-5'>離子</b>束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制](https://file1.elecfans.com/web3/M00/03/06/wKgZO2djgDOAJiUtAAAR0gCwJ6Q707.png)
石油地質(zhì)領(lǐng)域中氬離子拋光儀的技術(shù)應(yīng)用
![石油地質(zhì)領(lǐng)域中<b class='flag-5'>氬</b><b class='flag-5'>離子</b><b class='flag-5'>拋光</b>儀的<b class='flag-5'>技術(shù)</b>應(yīng)用](https://file1.elecfans.com/web3/M00/02/E3/wKgZO2diTZaAMMx3AABi99mqTeo145.png)
FIB技術(shù)在透射樣品制備中的應(yīng)用
![FIB<b class='flag-5'>技術(shù)</b>在透射<b class='flag-5'>樣品</b><b class='flag-5'>制備</b>中的應(yīng)用](https://file1.elecfans.com/web3/M00/02/89/wKgZO2df77-AcXI9AAB4yGCEl4E183.png)
氬離子拋光技術(shù):揭示材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)的精密樣品制備方法
![<b class='flag-5'>氬</b><b class='flag-5'>離子</b><b class='flag-5'>拋光</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>:揭示材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)的精密<b class='flag-5'>樣品</b><b class='flag-5'>制備</b>方法](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/80/wKgZoWc-Bg6AfyfTAABWYhSXFJ4320.png)
氬離子束拋光:EBSD樣品制備的高效策略
![<b class='flag-5'>氬</b><b class='flag-5'>離子束拋光</b>:EBSD<b class='flag-5'>樣品</b><b class='flag-5'>制備</b>的<b class='flag-5'>高效</b>策略](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F4/92/wKgaoWctlQiAdGcMAAC19R5ESYg896.png)
石油地質(zhì)領(lǐng)域中的氬離子拋光儀:技術(shù)應(yīng)用與效果分析
![石油地質(zhì)領(lǐng)域中的<b class='flag-5'>氬</b><b class='flag-5'>離子</b><b class='flag-5'>拋光</b>儀:<b class='flag-5'>技術(shù)</b>應(yīng)用與效果分析](https://file1.elecfans.com/web2/M00/0B/8F/wKgaomckc_mAJ1bgAABzQctFFUA311.png)
FIB在TEM樣品制備中的利與弊
![FIB在TEM<b class='flag-5'>樣品</b><b class='flag-5'>制備</b>中的利與弊](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F4/1E/wKgaoWckc32AOQmnAABHht5wURo213.png)
評論