??技術(shù)日新月異，我們每天都走在創(chuàng)新的路上，獲取前沿的領(lǐng)域知識(shí)，并轉(zhuǎn)化為自己的成果，創(chuàng)造出更適合用戶(hù)的產(chǎn)品。在這一路上，貿(mào)澤電子始終會(huì)伴你左右，并隨時(shí)提供新的采購(gòu)情報(bào)，希望借此能為你帶來(lái)更多創(chuàng)新和靈感。以下是本周新品情報(bào)，請(qǐng)及時(shí)查收：

滿(mǎn)足多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域需求

Toshiba產(chǎn)品組合

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）是Toshiba電子元器件和解決方案的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤有7,000多種Toshiba產(chǎn)品開(kāi)放訂購(gòu)，其中3,000多種有現(xiàn)貨庫(kù)存，豐富多樣的Toshiba產(chǎn)品組合可幫助買(mǎi)家和工程師開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。

Toshiba TCKE9系列23V 4A電子熔斷器可保護(hù)電源線(xiàn)路免受外部過(guò)流和過(guò)壓的影響。除了壓擺率控制、欠壓鎖定（UVLO）、FLAG輸出等功能外，TCKE9系列產(chǎn)品還具有可調(diào)限流和固定電壓鉗位功能。TCKE9使用的電子保險(xiǎn)絲可提供標(biāo)準(zhǔn)物理保險(xiǎn)絲所不具備的可重復(fù)保護(hù)和高精度。

Toshiba的UMOS9-H硅N溝道MOSFET是高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的理想選擇。這些MOSFET基于新一代U-MOS9-H溝槽工藝，在所有負(fù)載條件下都能實(shí)現(xiàn)高效率。這些器件具有80V漏極-源極電壓、±20V柵極-源極電壓和175°C溝道溫度。UMOS9-H MOSFET采用DPAK封裝，可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和低輸出電荷（QOSS），從而提高基站、服務(wù)器或工業(yè)設(shè)備中使用的開(kāi)關(guān)電源的效率。

Toshiba的40V和50V全集成步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器具有低導(dǎo)通電阻、精細(xì)的微步進(jìn)和緊湊的外形尺寸，并具有電機(jī)驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)功能，適用于執(zhí)行器和數(shù)控機(jī)床等各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可通過(guò)內(nèi)置穩(wěn)壓器，使用單個(gè)VM電源來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)。

TLP2362B、TLP2368B、TLP2762B和TLP2768B高速隔離式光耦合器可支持和處理會(huì)增加不必要的抖振噪聲的慢速輸入。這些器件簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，無(wú)需傳統(tǒng)上用來(lái)降低顫振噪聲的必要外部元件（比如施密特觸發(fā)器）。這些光耦合器集成了內(nèi)部法拉第屏蔽，保證了±50 kV/μs的共模瞬態(tài)抗擾度，非常適合可編程邏輯控制器、工廠(chǎng)自動(dòng)化以及測(cè)試和測(cè)量設(shè)備。