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光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。

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光刻膠

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原文標(biāo)題：光刻膠清洗去除方法

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光刻膠的類型及特性

光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和

發(fā)表于 04-29 13:59 ?516次閱讀

光刻膠成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料

光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料，在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能，增感劑有助于提高

發(fā)表于 12-19 13:57 ?689次閱讀

光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

分辨率（resolution）。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

發(fā)表于 11-15 10:10 ?2280次閱讀

<b class='flag-5'>光刻膠</b>的主要技術(shù)參數(shù)

一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場前景展望

光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技

發(fā)表于 11-11 10:08 ?1346次閱讀

一文解讀<b class='flag-5'>光刻膠</b>的原理、應(yīng)用及市場前景展望

一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠

共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領(lǐng)取公眾號資料

發(fā)表于 11-01 11:08 ?1991次閱讀

光刻膠的使用過程與原理

本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。

發(fā)表于 10-31 15:59 ?1082次閱讀

如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠？

在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8

發(fā)表于 08-27 15:54 ?584次閱讀

如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠？

在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過程中，需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來選擇合適的旋涂轉(zhuǎn)速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻化。如何成功的旋涂微流控SU-

發(fā)表于 08-26 14:16 ?634次閱讀

導(dǎo)致光刻膠變色的原因有哪些？

存儲時間正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在可見光譜的部分具有很強的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程

發(fā)表于 07-11 16:07 ?975次閱讀

光刻膠涂覆工藝—旋涂

時最常用的方法。這是一種具有很高吞吐量和均勻性潛力的方法。旋涂的原理是，通常將幾毫升光刻膠分配到以數(shù) 1000 rpm（通常為 4000 rpm）旋轉(zhuǎn)的基板上。抗蝕劑可以在基板靜止時點膠

發(fā)表于 07-11 15:46 ?1410次閱讀

光刻膠的硬烘烤技術(shù)

根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝，我們可以采用適當(dāng)?shù)?b class='flag-5'>方法對已顯影的光刻膠結(jié)構(gòu)進行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián)，稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量