光刻膠清洗去除方法
光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導致光刻膠碳化難以去除。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
光刻膠
+關注
關注
10文章
335瀏覽量
30838
原文標題：光刻膠清洗去除方法
文章出處：【微信號：Filter_CN，微信公眾號：濾波器】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
測量對工藝優化和產品質量控制至關重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備
減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
? ? 引言 ? 在半導體制造領域，光刻膠剝離工藝是關鍵環節，但其可能對器件性能產生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法
光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環節的核心材料，其性能優劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時，精準測量光刻圖形
光刻膠的類型及特性
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
光刻膠成為半導體產業的關鍵材料
光刻膠是半導體制造等領域的一種重要材料，在整個電子元器件加工產業有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關鍵性能，增感劑有助于提高
一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠
共讀好書關于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領取公眾號資料
如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠？
在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8
導致光刻膠變色的原因有哪些？
存儲時間 正膠和圖形反轉膠在存儲數月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
光刻膠涂覆工藝—旋涂
時最常用的方法。這是一種具有很高吞吐量和均勻性潛力的方法。旋涂的原理是，通常將幾毫升光刻膠分配到以數 1000 rpm（通常為 4000 rpm）旋轉的基板上?？刮g劑可以在基板靜止時點膠
光刻膠的硬烘烤技術
根據光刻膠的應用工藝，我們可以采用適當的方法對已顯影的光刻膠結構進行處理以提高其化學或物理穩定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現整個光刻膠結構的熱交聯，稱為硬烘烤或者堅膜?；蛲ㄟ^低劑量
光刻膠的一般特性介紹
評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所
光刻膠后烘技術
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
光刻膠的圖形反轉工藝
形態。這種方法的主要應用領域是剝離過程，在剝離過程中，底切的形態可以防止沉積的材料在光刻膠邊緣和側壁上形成連續薄膜，有助于獲得干凈的剝離光刻膠結構。 在圖像反轉烘烤步驟中，光刻膠的熱穩
光刻膠的保存和老化失效
我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規劃好。并且，在
工商網監
評論