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LED芯片:三種核心結構解析

金鑒實驗室 ? 2024-11-15 11:09 ? 次閱讀
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LED照明技術中,芯片的結構設計對于產品的光效、散熱性能以及整體可靠性起著至關重要的作用。金鑒實驗室提供專業的LED芯片測試服務,幫助企業確保其產品在光效和散熱性能方面達到行業標準。本文將深入分析三種主流的LED芯片結構:正裝結構、倒裝結構和垂直結構,探討它們的設計特點、優勢與局限,以及它們在實際應用中的表現。

正裝芯片結構的分析

1.設計特點:正裝LED芯片作為最早出現的LED結構,其層次結構由上至下依次為電極、P型半導體層、發光層、N型半導體層和襯底。在這種結構中,PN結產生的熱量需要通過藍寶石襯底傳導至熱沉,但藍寶石的導熱性能不佳,這限制了芯片的發光效率和可靠性

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2.優勢與局限:

優勢:結構簡單,生產工藝成熟。

局限:電流需要橫向流過n-GaN層,導致電流擁擠和局部過熱;藍寶石襯底的導熱性差,影響熱量的散發;溫度和濕度可能導致電極金屬遷移,增加短路風險。

3.分類與制備流程:正裝芯片根據功率大小可分為小功率、中功率和大功率芯片。小功率芯片通常采用三次光刻制程,中功率芯片在此基礎上增加電流阻擋層和鈍化光刻,而大功率芯片則采用全方位反射層。

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4.應用現狀:由于工藝簡單、成本較低,正裝結構LED仍然是GaN基LED的主流結構,被多數企業采用。金鑒實驗室在累積了大量LED失效分析案例的基礎上,具備LED芯片來料檢驗的服務,通過運用高端分析儀器鑒定芯片的優劣情況。這一檢測服務能夠作為LED封裝廠/芯片代理廠來料檢驗的補充,防止不良品芯片入庫,避免因芯片質量問題造成燈珠的整體損失。

倒裝LED芯片結構的詳細探討

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1.設計特點:倒裝芯片結構中,PN結產生的熱量可以直接傳導到熱沉,無需經過襯底。此外,P電極和N電極均位于底面,減少了對出射光的遮擋,提高了出光效率。

2.優勢與局限:

優勢:無需通過藍寶石散熱,散熱效果好;尺寸小,密度高,光學匹配容易;散熱功能提升,延長芯片壽命;抗靜電能力提升;減少金屬遷移導致的短路風險。

局限:制造設備和成本要求較高。

3.制備工藝:倒裝LED芯片的制備工藝流程較為復雜,涉及多個步驟。

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4.應用現狀:雖然目前制造成本較高,但倒裝芯片因其優異的性能,市場前景廣闊。金鑒實驗室在這一領域的測試服務將為企業的市場推廣提供強有力的支持。

垂直LED芯片結構的全面解析

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1.設計特點:垂直LED芯片采用高熱導率的襯底,如Si、Ge、Cu等,取代藍寶石襯底,極大提高了芯片的散熱能力。

2.優勢與局限:

優勢:所有顏色的LED均可制成通孔垂直結構;制造工藝在芯片水平進行;無需打金線,降低封裝厚度;抗靜電能力強;可通過多個通孔/金屬填充塞提高散熱效率。

局限:工藝復雜,生產合格率較低。

3.制備工藝:制備GaN基垂直結構LED的工藝包括表面處理、臺面蝕刻、鈍化層沉積等步驟。金鑒實驗室為LED芯片提供了全面的測試解決方案,幫助廣大企業在競爭中保持優勢。

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4.應用現狀:垂直結構的藍光芯片解決了散熱問題,但由于工藝復雜,目前發展較為緩慢。

結論

三種LED芯片結構各有千秋,正裝結構以其成熟工藝和低成本占據市場主流,倒裝結構和垂直結構則以其優異的散熱性能和光電特性展現出巨大的市場潛力。金鑒實驗作為LED領域中技術能力最全面、知名度最高的第三方檢測機構之一,圍繞高質量LED產品的誕生,從外延片生產、芯片制作、器件封裝到LED驅動電源、燈具等產品應用環節,從LED原材料、研發和生產工藝角度,為客戶提供以失效分析為核心,以材料表征、參數測試、可靠性驗證、來料檢驗和工藝管控為輔的一站式LED行業解決方案。

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