電子背散射衍射(EBSD)技術在材料科學中扮演著至關重要的角色,尤其是在掃描電子顯微鏡(SEM)中,它為研究者提供了一種獲取材料晶體學信息的有效手段。
EBSD揭示的關鍵信息
1. 物相鑒定:EBSD能夠對每個分析點進行物相的識別和確認,這一過程基于晶體學的差異,并可結合化學信息(如能譜儀EDS提供的數據)。
2. 晶體取向:EBSD技術能夠確定每個分析點晶格的三維取向,這對于揭示材料的微觀結構和宏觀性能之間的聯系至關重要。
EBSD技術的性能指標
EBSD技術的性能受多種因素影響,包括樣品制備、SEM設備、電子束參數、EBSD探測器和軟件,以及樣品本身的特性。以下是EBSD技術的一些性能指標:
![wKgaoWc7DjKAAegTAACiEA4Tdtg175.png](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/59/wKgaoWc7DjKAAegTAACiEA4Tdtg175.png)
空間分辨率:25-200 nm(常規塊樣EBSD),2-20 nm(TKD)。
角度精度:0.1-0.5°(基于霍夫變換的標定),0.001-0.01°(高分辨EBSD)。
角度準確度:約2°。
分析速度:可達約4500點/秒。
EBSD提供的微觀組織信息
EBSD分析通常是自動化的,能夠快速從樣品表面由點組成的柵格區域中采集相和取向數據。
1. 相分布:EBSD經常用于繪制樣品中相的分布并測量相的面積分數。典型的輸出是相分布圖,以及各個相對應的面積百分比。
![wKgZoWc7DjiAHSZOAAvU0vv8XAg896.png](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/53/wKgZoWc7DjiAHSZOAAvU0vv8XAg896.png)
2. 織構分析:晶體取向數據是EBSD技術最基本的輸出數據,因此它是測量織構(晶體擇優取向)的理想技術。EBSD速度快,并且同時提供空間分辨的信息,因此我們能確定織構在樣品中的變化。
![wKgZoWc7Dj2AecuRAAOIQKYgCs4536.png](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/53/wKgZoWc7Dj2AecuRAAOIQKYgCs4536.png)
3. 晶粒特征:EBSD取向面分布圖提供了晶體學取向的空間分辨信息,從中可以推導出嚴格的晶粒尺寸和形狀。這些信息包括晶粒大小、晶粒形狀/形貌、晶粒平均取向、晶粒內部取向變化和孿晶比例。
![wKgaoWc7DkSATKtKAA6Iq5oRsXI033.png](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/59/wKgaoWc7DkSATKtKAA6Iq5oRsXI033.png)
4. 晶界特性:從EBSD的取向測量結果,還可以推導出樣品晶界的詳細晶體學信息。這包括晶界取向差信息、晶界旋轉軸、晶界跡線(晶界面完整取向可以使用3D-EBSD測量)、特殊晶界識別(例如:孿晶或重合位置點陣晶界(CSL))和完整晶界長度統計。
![wKgaoWc7DkmAE-ovAAMVHLkrrMY902.png](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/59/wKgaoWc7DkmAE-ovAAMVHLkrrMY902.png)
5. 應變分析:EBSD分析也常用于表征和定量樣品中的應變。這可以通過多種方式實現,包括局部晶格取向梯度、幾何必需位錯(GND)密度、晶內取向偏差、晶內取向散布和小角晶界分布。
結論
EBSD技術以其獨特的能力,提供了對材料微觀結構的深入理解,包括物相、晶體取向、晶粒尺寸和形狀、晶界特性以及應變分布。
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