提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計更加簡化，性能得到提升。

Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結(jié)X4-Class功率MOSFET。

超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

這些新器件在當(dāng)前200V X4-Class超級結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展，有些具有最低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設(shè)計人員能夠用來替換多個并聯(lián)的低額定電流器件，從而簡化設(shè)計流程，提高應(yīng)用的可靠性和功率密度。此外，SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅固穩(wěn)定。

這些新的200V MOSFET提供最低的導(dǎo)通電阻，增強(qiáng)并補(bǔ)充了現(xiàn)有的Littelfuse X4-Class超級結(jié)系列產(chǎn)品組合。與當(dāng)下最先進(jìn)的X4-Class MOSFET解決方案相比，這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍，導(dǎo)通電阻值最高可降低約63%。

新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導(dǎo)通損耗的一系列低壓功率應(yīng)用，包括：

電池儲能系統(tǒng)（BESS）

電池充電器

電池成型

DC/電池負(fù)載開關(guān)，以及

電源

“新器件將允許設(shè)計人員用一個器件解決方案取代多個并聯(lián)的低額定電流器件。”Littelfuse全球產(chǎn)品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示，“這種獨特的解決方案簡化了柵極驅(qū)動器設(shè)計，提高了可靠性，改善了功率密度和PCB空間利用率。”

超級結(jié)X4級功率MOSFET具有以下主要性能優(yōu)勢：

低傳導(dǎo)損耗

最少的并行連接工作量

驅(qū)動器設(shè)計簡化，驅(qū)動器損耗最小

簡化的熱設(shè)計

功率密度增加

為什么對于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來說具有低導(dǎo)通電阻的MOSFET是首選？

對于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來說，具有低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗，從而降低傳導(dǎo)損耗，提高效率，并減少發(fā)熱。因此，它們非常適合電源、電機(jī)驅(qū)動器和電池供電設(shè)備等功率敏感型應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，保持高效率和熱管理至關(guān)重要。

性能指標(biāo)

供貨情況

超級結(jié)X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨。可通過Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商名單，請訪問 Littelfuse.com。