此前，2024年11月27-28日，上海貝嶺參加由蓋世汽車主辦的第五屆汽車電驅動及關鍵技術大會。本次展會，上海貝嶺展示了汽車電子相關產品及應用方案。

BELLING

產品推薦

一、“IGBT+FRD” 組合1

「BELLING」

BLQG200T120是1200V 200A的IGBT DIE，該產品是基于貝嶺Trench-FS Gen5技術平臺，具有開關損耗低，高可靠性和強短路魯棒性的特點。其正面采用虛擬trench和有效trench的搭配，來優化器件的電容和電荷參數，實現低開關損耗和快速開關特性。背面采用多次H FS工藝，優化器件的抗EMI能力，同時芯片具有強短路能力。終端采用優化的場板場限環終端，保證器件最高工作結溫175℃以及高可靠性。

BLQG200T120特性

VCE最低1200V，持續電流200A @100℃，最高脈沖電流400A

VCE (sat)@Vge=15V，僅1.85V，導通壓降低，導通損耗低

工作結溫范圍：-40~175℃

通過AEC-Q101認證，滿足車規需求

BLK105N120 為FRD DIE，該款芯片與IGBT配套，采用壽命控制技術，具有較低的反向恢復電流和反向恢復時間。

BLK105N120特性

VBR最低1200V，正向導通電流200A@100℃

正向導通壓降2.0V@200A，Tc=25℃

工作結溫范圍：-40~175℃

通過AEC-Q101認證，滿足車規需求

“BLQG200T120+ BLK105N120”典型應用

通過不同的并聯封裝，可實現在800V平臺新能源汽車不同功率的拖動電機驅動。

二、“IGBT+FRD” 組合2

「BELLING」

BLQG275T75為IGBT DIE，該產品是基于貝嶺Trench-FS Gen7 技術平臺，具有正向壓降小、開關速度快，開關損耗低、高可靠性等特點。其采用第七代微溝槽柵技術，優化了導通壓降和開關損耗，實現更好的輸出特性及高可靠性。采用優化的多層場截止技術，改善了器件在不同母線電壓和柵電阻下的短路表現。采用優化的結終端技術，實現175℃的最高工作溫度、高可靠性以及強魯棒性。

該款芯片完成全面的車規認證，特別為工作頻率在5 至20kHz的硬開關電路設計，主要面向新能源汽車應用市場。該芯片針對電動汽車驅動應用特點特別優化損耗分布，優化正溫度系數，使得該芯片易于并聯使用，保證了產品的易拓展性，可通過不同封裝形式滿足不同功率等級的應用。

BLQG275T75F特性

VCE 最低750V，持續電流275A@100℃，最高脈沖電流550A

VCE (sat )@Vge=15V，僅1.4V，導通壓降低，導通損耗低

工作結溫范圍：-55~175℃

通過AEC-Q101認證，滿足車規需求

BLQK275N75 為FRD DIE，該款芯片與IGBT配套，采用壽命控制技術，具有較低的反向恢復電流和反向恢復時間。

BLQK275N75特性

VBR最低750V，正向導通電流275A@100℃

正向導通壓降1.56V@150A，Tc=25℃

工作結溫范圍-40~175℃

通過AEC-Q101認證，滿足車規需求

“BLQG275T75F+ BLQK275N75”典型應用

以TO-247PLUS 單管封裝可廣泛應用于最高40kW的汽車主驅逆變器，適合A0級和A00級純電動汽車。

以HPD等形式的750V IGBT功率模塊可廣泛應用于最高120kW的汽車主驅逆變器，適合A級純電動及混合動力汽車。

三、SiC MOSFET系列

「BELLING」

BLQC75N120、BLQC40N120、BLQC16N120、BLQC13N120均為N溝道增強型平面MOSFET，采用第三代半導體材料——碳化硅，具有低導通電阻、低電容和柵極電荷、優異的開關性能等優點。與硅相比，該器件可以為電力電子系統應用提供更高的效率、更快的工作頻率和更緊湊的系統尺寸。

BLQC75N120特性

VDS 最低1200V，持續電流40A，30A @100℃，最高脈沖電流80A

RDS(ON)典型值75mΩ@15V、50mΩ@20V，導通電阻低

開關損耗低

工作結溫范圍：-40~175℃

100% 雪崩測試

通過AEC-Q101認證，滿足車規需求

典型應用：

OBC

DCDC

空調電子壓縮機

開關電源

BLQC40N120特性

VDS 最低1200V，持續電流70A，50A@100℃，最高脈沖電流160A

RDS(ON)典型值40mΩ@15V、26mΩ@20V，導通電阻低

開關損耗低

結工作溫范圍：-40~175℃

100% 雪崩測試

通過AEC-Q101認證，滿足車規需求

典型應用：

OBC

DCDC

空調電子壓縮機

充電樁

BLQC16N120特性

VDS 最低1200V，持續電流120A，85A@100℃，最高脈沖電流300A

RDS(ON)典型值16mΩ@18V、14.5mΩ@20V，導通電阻低

開關損耗低

工作結溫范圍：-40~175℃

100% 雪崩測試

通過AEC-Q101認證，滿足車規需求

典型應用：

主驅

OBC

充電樁

BLQC13N120特性

VDS 最低1200V，持續電流152A，108A@100℃，最高脈沖電流310A

RDS(ON)典型值13mΩ@18V、10mΩ@20V，導通電阻低

開關損耗低

工作結溫范圍：-40~175℃

100% 雪崩測試

通過AEC-Q101認證，滿足車規需求

典型應用：

主驅

OBC

充電樁

四、功率模塊系列

「BELLING」

BLQGMS820T75FEDL7

BLQGMS820T75FEDL7是一款非常緊湊的六單元IGBT HPD模塊，采用貝嶺第7代溝槽柵場阻止層結構；具有極低的VCE (sat)，正溫系數，優化的柵電荷和米勒電容；具有強的抗EMI能力和短路能力。

BLQGMS820T75FEDL7特性：

采用貝嶺第7代溝槽柵場阻止層結構

VCES最低750V，持續電流820A，450A@80℃，最高脈沖電流1640A

VCE (sat)@Vge=15V，僅1.2V@25℃，具有極低的VCE (sat)，正溫系數，優化的柵電荷和米勒電容

具有強的抗EMI能力和短路能力

典型應用：

適用于電動汽車和混動汽車的逆變主驅，以及電機驅動等應用。

BLGMF600T120FCDS4

BLGMF600T120FCDS4是基于貝嶺第四代先進的溝槽場截止技術（T-FS4）的IGBT半橋模組（E3），并集成了一個NTC溫度傳感器。其具有低VCE (sat)、優化的開關性能等特點。

BLGMF600T120FCDS4特性：

采用貝嶺第4代溝槽柵場阻止層結構

VCES最低1200V，持續電流1200A，600A@80℃，最高脈沖電流1200A

VCE (sat)@Vge=15V，僅1.75V@25℃，具有低VCE (sat)，正溫系數，優良的開關性能

具有高可靠性，強短路能力

典型應用：

適用于大功率逆變器，風力發電，工業焊機，以及工業UPS系統等應用

IGBT是適用于電機驅動器、UPS 的器件

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