IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝柵場(chǎng)截止(FS)工藝，為工業(yè)應(yīng)用帶來高可靠性的同時(shí)，提高功率密度。

安世半導(dǎo)體的IGBT功率半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)史威將于2024年12月19日（周四）下午1530帶來以《高可靠性IGBT的新選擇——安世半導(dǎo)體650V IGBT介紹及其優(yōu)勢(shì)》為主題的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)。

屆時(shí)他將深入解析安世半導(dǎo)體TO247 - 3封裝的650V IGBT，并闡述其大幅優(yōu)化的關(guān)斷損耗與關(guān)斷過壓尖峰，如何達(dá)成較低溫升與卓越效率，并探討其在系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換及電機(jī)驅(qū)動(dòng)方面的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。

直播主題

高可靠性IGBT的新選擇——安世半導(dǎo)體650V IGBT介紹及其優(yōu)勢(shì)

直播時(shí)間

2024年12月19日（周四）下午1530

直播大綱

1. 安世半導(dǎo)體IGBT產(chǎn)品系列介紹

2. 安世半導(dǎo)體650V IGBT產(chǎn)品的特點(diǎn)及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

直播講師

史威

安世半導(dǎo)體（德國(guó)）

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)

從事功率半導(dǎo)體器件（IGBT, SiC MOSFETs）運(yùn)用需求，產(chǎn)品定義及市場(chǎng)推廣工作多年。現(xiàn)任安世半導(dǎo)體（德國(guó)）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)，規(guī)劃主導(dǎo)IGBT產(chǎn)品路線。

相關(guān)產(chǎn)品

NGW75T65H3DF- 650 V，75 A

NGW75T65H3DF是一款采用第三代技術(shù)的堅(jiān)固型絕緣柵雙極性晶體管（IGBT），擁有先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝柵(CSTBT)場(chǎng)截止(FS)工藝。它的額定溫度為175 °C，具有優(yōu)化的關(guān)斷損耗。這款硬開關(guān)針對(duì)高壓、高頻工業(yè)電源逆變器應(yīng)用都進(jìn)行了性能提升。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia（安世半導(dǎo)體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，目前在歐洲、亞洲和美國(guó)共有14,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）為全球客戶提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準(zhǔn)，獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia（安世半導(dǎo)體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

Nexperia：效率致勝。