一、死區(qū)時間計算值的驗算

通過以上方程，現在可以根據測量值來計算所需的死區(qū)時間。使用計算出的死區(qū)時間，需要進行最壞情況下的測量來驗算死區(qū)時間的計算值是否足夠。

從測量中可以發(fā)現，關斷延遲時間隨著溫度的增加而增加。基于這個原因，分別在低溫和高溫條件下進行測試是比較好的。

測試例子的原理圖如下圖所示：

圖1 檢驗死區(qū)時間計算值的測試原理圖

下管IGBT的需要開通和關斷，上管的IGBT也一樣。兩個驅動脈沖之間的時間間隔需要根據實際情況調整到死區(qū)時間的計算值。這樣就能夠測量出的直流環(huán)的負電流，且如果死區(qū)時間足夠，就應該觀察不到直通電流。 由于沒有電流同時通過兩個IGBT，上面給出的測試代表了死區(qū)時間計算所需的最惡劣情況。由關斷延遲時間的討論可知，死區(qū)時間會隨著集電極電流的減小而增加，因此在沒有電流流通的情況下，關斷延遲時間要為最大值，這導致需要最大的死區(qū)時間。如果在零集電極電流下沒有直通電流，那么選擇的死區(qū)時間就是充足的。

二、如何減小死區(qū)時間

為了正確計算控制死區(qū)時間，應當考慮以下驅動條件：

1.加到IGBT的門極驅動電壓是多少?

2.門極驅動電阻阻值是多少?

3.驅動器的輸出電平是什么類型?

基于這些條件，可以進行測試，然后通過測試結果，使用公式計算控制死區(qū)時間。

由于死區(qū)時間對逆變器的性能有著負面影響，死區(qū)時間需要減小到最小值。可以采用下列幾種方法：

1.采用足夠大的驅動器來給IGBT門極的提供峰值灌拉電流。

2.使用負電壓來加速關斷。

3.最好選擇快速傳遞信號的驅動器，比如使用基于無磁芯變壓器技術的驅動器會好于使用傳統(tǒng)光耦技術的驅動器。

4.如果選用0V/15V的驅動電壓，那么應該考慮使用獨立的Rgon/Rgoff電阻。如下所述：Td_off和門極電阻之間有強烈的關聯關系。如果Rgoff減小，那么td_off及死區(qū)時間也將減小。Infineon建議在使用0V/15V驅動電壓時，Rgoff減小到Rgon的1/3。一種使用獨立的Rgon和Rgoff的電路如下所示：

圖2 0V/15V驅動電壓時建議使用的電路

R1的值應當滿足以下關系：

由等式(3)可得，Rgon要大于2Rgint，以得到正的R1。不過，在一些模塊中，這個要求并不可能滿足。這種情況下，R1可以完全忽略。二極管應該選用肖特基二極管。使用0V/15V驅動電壓時，另一個非常重要的一點是寄生開通效應。如果使用我們推薦的電路，這個問題也可以得到解決。