為什么要用液態鎵作為FIB的離子源
本文介紹了為什么要用液態鎵作為FIB的離子源以及鎵離子束是如何產生的。
什么是FIB？
FIB，全名Focused Ion Beam，聚焦離子束，在芯片制造中十分重要。主要有四大功能：結構切割，線路修改，觀察，TEM制樣等。
為什么用金屬鎵做離子源？
鎵的熔點為 29.76°C，在室溫稍高的條件下即為液態，這使其非常適合操作。 液態鎵的蒸氣壓非常低（<10-13Torr），即使在高真空環境下也能保持穩定，不易揮發而污染真空腔。 ? 表面張力高，可以穩定地形成 Taylor cone，從而精確地提取離子。 ? 亮度高，束斑尺寸小，通常小于10nm，加工精度高。 ?
鎵離子束是如何產生的？
如上圖，液態鎵存儲在儲存器（Ga Reservoir）中，通過線圈（heater wires）加熱，使鎵保持液態。液態鎵通過毛細作用流向鎢針尖（W needle） 的表面，在鎢針尖和提取電極之間施加數十千伏的強電場，電場會集中在針尖處，使液態鎵受到電場力拉伸。 液態鎵在電場的作用下被拉伸成一個非常小的曲率半徑的錐形（Taylor cone），在Taylor cone的尖端，液態鎵的原子被強電場游離，形成鎵離子，離子以初始發射角約為50°的角度射出，經過下游的電磁透鏡聚焦，最終形成一個高亮度、高精度的高斯分布束斑（Gaussian Profile），即聚焦離子束。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
fib
+關注
關注
1文章
72瀏覽量
11210 -
離子源
+關注
關注
0文章
17瀏覽量
5986
原文標題：FIB為什么要用液態鎵來做離子源？
文章出處：【微信號：bdtdsj，微信公眾號：中科院半導體所】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）的用途
（SEM）兩種互補技術，實現了材料的高精度成像與加工。FIB技術利用電透鏡將液態金屬離子源產生的離子束加速并聚焦，作用于樣品表面，可實現納米級的銑削、沉積、注入和成
聚焦離子束（FIB）技術：微納加工的利器
離子束聚焦到亞微米甚至納米級別，實現對樣品的直接加工和實時監測。FIB技術的核心組成1.離子源：技術的核心離子源是FIB技術的核心部件。通常
聚焦離子束（FIB）技術原理和應用
的應用場景以及顯著的優勢，成為現代科學研究與工業生產中不可或缺的重要工具。聚焦離子束技術的核心是液態金屬離子源。液態金屬離子源由一個半徑為2
KRi考夫曼離子源適用于各類真空設備
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離
聚焦離子束FIB在失效分析技術中的應用-剖面制樣
，成為微電子和納米技術領域中不可或缺的工具。微米級缺陷樣品截面制備FIB技術的原理FIB技術的核心在于使用鎵（Ga）或銦（In）等材料作為離子源
詳細聚焦離子束（FIB）技術
聚焦離子束（FocusedIonBeam，FIB）技術，堪稱微觀世界的納米“雕刻師”，憑借其高度集中的離子束，在納米尺度上施展著加工、分析與成像的精湛技藝。FIB技術以
聚焦離子束顯微鏡（FIB）：原理揭秘與應用實例
束可以被聚焦到非常小的尺寸，從而實現很高的空間分辨率。FIB（聚焦離子束）是將液態金屬（大多數FIB都用Ga，也有設備具有He和Ne離子源）
聚焦離子束（FIB）技術在芯片逆向工程中的應用
與分析。FIB切片技術基礎FIB切片技術的核心在于使用一束高能量的離子束對樣本進行精確的切割。這一過程開始于離子源產生離子束，隨后通過聚焦透
離子束技術在多領域的應用探索
聚焦離子束技術（FIB）聚焦離子束技術（FocusedIonBeam，FIB）是一種高精度的微納加工手段，它通過加速并聚焦液態金屬
FIB測試技術
束，這使得它在納米尺度的加工領域中扮演著不可或缺的角色。FIB的工作原理FIB的工作原理基于離子源產生的離子束，這些離子在電場的作用下被加速
制備透射電鏡及掃描透射電鏡樣品的詳細步驟
加工過程中實現更高的精度和效率。FIB技術的關鍵部分是其離子源，大多數情況下使用的是液態金屬離子源，而鎵（Ga）由于其較低的熔點、較低的蒸氣
FIB技術在各領域的應用及其運作機制解析
的微觀加工和分析。FIB系統的核心組成部分包括離子源、離子光學系統、束描畫系統、信號采集系統以及樣品臺。離子源產生帶正電的離子，這些
工商網監
評論