Semidynamics成為UPMEM LPDDR5X Processing In Memory器件核心供應(yīng)商
Semidynamics近日宣布了一個重要合作消息。據(jù)悉，UPMEM已選擇Semidynamics作為其下一代LPDDR5X Processing In Memory器件的核心供應(yīng)商，這一決定無疑將推動雙方的技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展。
Semidynamics所提供的RISC-V架構(gòu)具有顯著優(yōu)勢，其不僅集成了張量單元，還引入了名為Gazillion的長延遲數(shù)據(jù)訪問優(yōu)化器。這一獨特設(shè)計使得任何人工智能或大型語言模型(LLM)都能無縫、高效地集成，從而極大地提升了系統(tǒng)的整體性能。
在硬件配置上，Semidynamics的RISC-V架構(gòu)展現(xiàn)出了令人矚目的數(shù)據(jù)處理能力。其內(nèi)部帶寬高達(dá)102.4GB/s，數(shù)據(jù)訪問能耗低至1pJ/bit，同時擁有強大的處理能力，包括8TFLOPs的FP16/BF16精度和16TOPs的int8精度。這些卓越的性能指標(biāo)，使得采用Semidynamics技術(shù)的單芯片在模型推理方面能夠達(dá)到行業(yè)最佳的性能和能耗水平。
此次合作不僅是對Semidynamics技術(shù)實力的認(rèn)可，也為UPMEM的LPDDR5X Processing In Memory器件注入了新的活力。雙方將共同致力于推動人工智能技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展，為全球用戶帶來更加高效、智能的解決方案。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1805文章
48898瀏覽量
247830 -
模型
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
3504瀏覽量
50191
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
LPDDR5X更輕薄了！明年旗艦機型或?qū)⒉捎?/a>
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日美光（Micron）宣布，正在交付全球首款基于1γ工藝的LPDDR5X內(nèi)存樣品。該產(chǎn)品采用第六代10nm級別1γ（1-gamma）DRAM，速率達(dá)到10.7Gbps，可節(jié)省
美光科技出貨全球首款基于1γ制程節(jié)點的LPDDR5X內(nèi)存 突破性封裝技術(shù)
? ? 美光LPDDR5X內(nèi)存專為旗艦智能手機設(shè)計，以業(yè)界領(lǐng)先的超薄封裝提供高速等級并顯著降低功耗。 2025年6月6日，愛達(dá)荷州博伊西市——美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已
LPDDR5X：面向高性能與能效的增強型移動內(nèi)存
LPDDR5X：面向高性能與能效的增強型移動內(nèi)存 概述 LPDDR5X（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X）是LPDDR5 DRAM的升級版本，專為移動設(shè)備優(yōu)化設(shè)計。該標(biāo)準(zhǔn)由JEDEC于2021年
一文了解LPDDR5X的核心需求和設(shè)計
1-LPDDR是什么？及LPDDR的演進 ? LPDDR推出的背景 當(dāng)新的軟件系統(tǒng)和應(yīng)用程序變得足夠大時，它們需要創(chuàng)造出針對其特定需求定制的新內(nèi)存技術(shù)。 ?例如，用于圖形的 GDDR，用于人工智能
LPDDR5X速率刷新記錄，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來了
-Ultra-Pro DRAM，除了LPDDR5X數(shù)據(jù)傳輸率為12700MT/s之外，它是一款16Gb內(nèi)存，采用該公司第五代10nm級DRAM工藝制造，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電壓為1.05V。即便在0.9伏的低電壓環(huán)境下，也能穩(wěn)定
發(fā)表于 02-28 00:07
?2289次閱讀
三星Galaxy S25系列搭載美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0
且能夠感知語境的移動AI體驗。此外，美光已首次向市場出貨能效領(lǐng)先的LPDDR5X內(nèi)存，其功耗降低幅度超過 10%。1借助全新的One UI 7系統(tǒng)，三星Galaxy S25系列成為用戶強大的AI伙伴，通過多模態(tài)AI助理無縫解析文本、語音、圖像和視頻，為用戶的獨特需求提供個
三星LPDDR5X榮獲CES 2025創(chuàng)新獎
在CES 2025開幕前夕，三星半導(dǎo)體憑借其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新與突破，以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術(shù)，獲得了CES 2025在移動設(shè)備、配件及應(yīng)用程序領(lǐng)域的創(chuàng)新獎。
佰維存儲發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存與DDR5內(nèi)存模組
近日，存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)佰維存儲推出了其新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X。這款內(nèi)存產(chǎn)品采用了先進的1bnm制程工藝，相較于上一代產(chǎn)品，其數(shù)據(jù)傳輸速率有了顯著提升，高達(dá)8533Mbps，提升了33
佰維存儲發(fā)布LPDDR5X高效能內(nèi)存
近日，佰維存儲正式推出了新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X。該產(chǎn)品采用先進的1bnm制程工藝，為旗艦智能手機等終端設(shè)備帶來了卓越的性能與節(jié)能優(yōu)勢。 LPDDR5X的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8533Mbps
佰維存儲發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存
近日，存儲技術(shù)領(lǐng)域的佼佼者佰維存儲，正式推出了其最新的高效能內(nèi)存產(chǎn)品——LPDDR5X。這款內(nèi)存產(chǎn)品采用了先進的1bnm制程工藝，不僅在技術(shù)上實現(xiàn)了新的突破，更在性能上帶來了顯著的提升。
三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存，技術(shù)再突破
三星電子今日正式宣告，其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進入量產(chǎn)階段，再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝，以驚人的0.65mm封裝高度，實現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減，縮減幅度高達(dá)9%，展現(xiàn)了三星在內(nèi)存封裝技術(shù)上的深厚積累和創(chuàng)新
三星電子實現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)
三星電子于6日正式宣布，其已成功實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存儲器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時提供12GB及16GB的存儲容量選項。
Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀
ATE，它降低了成本，增強了DDR5系統(tǒng)的互操作性。
DDR5/LPDDR5發(fā)射機測試,LPDDR5/LPDDR5X Protocol An
發(fā)表于 08-06 12:03
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品，助力端側(cè)AI應(yīng)用
三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強，適合端側(cè)AI在移動端的應(yīng)用 LPDDR封裝采用12納米級工藝，四層堆疊，在提升Die密度的同時，減少厚度，提高耐熱性
新品迅為RK3588-LPDDR5核心板_LPDDR4x與LPDDR5的區(qū)別
架構(gòu)與通信方式：LPDDR4x 采用了16n的通信方式(n為數(shù)據(jù)位寬)，而 LPDDR5 則引入了 32n的通信方式，可以提供更高的帶寬和性能。
頻率和時序：LPDDR5 相對于 LPDDR4
發(fā)表于 07-17 10:13
工商網(wǎng)監(jiān)
評論