產品簡述
MS1003 是一款高精度時間測量(TDC)電路,對比 MS1002 具
有更高的精度和更小的封裝,適合于高精度小封裝的應用領域。
MS1003 具有雙通道、多脈沖的采樣能力、高速 SPI 通訊、
多種測量模式,適合于激光雷達和激光測距。
主要特點
?雙通道單精度模式 46ps
?單通道雙精度模式 23ps
?非校準單精度測量范圍 3.5ns(0ns)至 16μs
?非校準雙精度測量范圍 3.5ns(0ns)至 16μs
?校準單精度測量范圍 3.5ns(0ns)至 4μs
?校準雙精度測量范圍 3.5ns(0ns)至 2μs
?10ns 最小脈沖間隔,雙通道最多可接收 20 個脈沖
?4 線 SPI 通信接口
?工作電壓 2.5V 至 3.6V
?工作溫度-40°C 至+100°C
?QFN20 封裝
應用
?激光雷達
?激光測距
?脈沖測量
產品規格分類
管腳圖
管腳說明
內部框圖
極限參數
芯片使用中,任何超過極限參數的應用方式會對器件造成永久的損壞,芯片長時間處于極限工作
狀態可能會影響器件的可靠性。極限參數只是由一系列極端測試得出,并不代表芯片可以正常工作在
此極限條件下。
推薦工作條件
電氣參數
功能描述
1. SPI接口
MS1003 的 SPI 接口是與 4 線制 SPI 兼容的,它需要一個 SerialSelectNot (SSN)信號,從而不能夠工
作在 3-線制 SPI 接口。
SSN 的下降沿或者第一個 SCK 的上升沿將會復位 INTN 管腳(中斷管腳)狀態。
從最高位(MSB)開始傳輸以最低位(LSB)結束。傳輸是以字節方式完成的。數據傳輸可以在每個字節
后停止,通過給 SSN 發送一個 LOW-HIGH-LOW 的電平。
如有需求請聯系——三亞微科技 王子文(16620966594)
4. 電源電壓
為了達到最佳測量效果,好的電源非常重要。電源應該具有高電容性和低電感性。MS1003 提供兩
對電源供應端口:VCC - I/O 供電電壓 ,VDD - 內核供電電壓。
所有的 Ground 引腳都應該連接到印刷電路板的地層上。 VCC 和 VDD 應該通過一個電池或者固定
的線性電壓調節器給出。不要應用開關式的調節器,避免由于 IO 電壓引起的干擾。
時間數字轉換器能夠有好的測量效果,完全取決于好的電源供電。芯片測量主要是脈沖式的電
流,因此一個充足的雙通濾波非常重要:VCC 47 μF (最小 22 μF),VDD 100 μF(最小 22 μF)。
電壓應用通過一個模擬的調節器給出,我們推薦不要使用開關式的電壓調節。
6. 時間測量
6.1 概述
非校準單精度模式測量范圍從 3.5ns 到 16μs(0-16μs 在兩個 stop 通道之間測量)。
非校準雙精度模式測量范圍從 3.5ns 到 16μs(0-16μs 在兩個 stop 通道之間測量)。
校準模式單精度測量范圍從 3.5ns 到 4μs(0-4μs 在兩個 stop 通道之間測量)。
校準模式雙精度測量范圍從 3.5ns 到 2μs(0-2μs 在兩個 stop 通道之間測量)。
單精度模式典型精度為 46 ps,2 個 stop 通道相對于 start 通道。
雙精度模式典型精度為 23 ps,僅 stop1 通道相對應 start 通道。
內置特殊防抖技術,使測量時間高度精準。
10 ns 的脈沖之間最小間隔。
兩個 stop 通道可同時采集,且每個 stop 通道最多 10 個脈沖。
每個 stop 通道可選擇上升或下降沿捕獲,或者選擇上升和下降沿同時捕獲。
自動測量 START 和 STOP 脈沖之間的時間間隔,無需再進行寄存器設置。
可任意設置溢出時間,從而減少高速測量時溢出時間等待。
在非校準模式下,可以任意測量比預期脈沖數少的脈沖。
典型應用: 激光測距、激光雷達、高精度延時測量。
6.2 高精度時間測量原理
數字式 TDC 應用內部的邏輯門延時來高精度測量時間間隔,下圖闡述了這種絕對時間 TDC 的測量
原理結構。該電路結構確保電路以特殊的測量方法,使信號通過邏輯門的時間可以非常精確。最高的
測量精度完全取決于內部通過邏輯門的傳播時間。
時間測量是通過一個 start 信號觸發,通過內部防抖處理后,TDC 的門電路開始高速計數,直到 stop
信號產生記錄計數結果,達到 STOP 預期脈沖數后停止計數。
3.3V 和 25°C 時,MS1003 的單精度最小分辨率是 46ps。溫度和電壓對門電路的傳播延時時間有很
大的影響。通常是通過校準來補償由溫度和電壓變化而引起的誤差。在校準過程中,TDC 測量 0.5 個
和 1.5 個時鐘周期,相減后得一個時鐘周期的 TDC 計數結果,即為校準值。測量范圍受計數器大小的
限制,以下是非校準模式下最大測量范圍:tyy = 46 ps x 442368 ≈ 20 μs。
6.3 非校準時間測量
6.3.1 非校準時間測量概述
非校準時間測量,實際上就是應用數字式 TDC 內部的邏輯門延時來實現高精度時間測量,非校準
模式下最大測量范圍是 3.5ns-16μs,單精度模式下,可以兩個 STOP 通道同時測量,且每個通道最多可
以測量 10 個 STOP 脈沖,雙精度模式下,僅 STOP1 通道可以使用。
非校準時間測量過程中,無需高速時鐘參與,所以可以通過寄存器設置來關閉高速時鐘
( START_CLKHS=0),在該模式下,測量速度最快,結果寄存器直接輸出門延時個數,在非校準模式下結
果寄存器 20 位的有效位,測量時間計算如下,該測量時間受溫度和電壓影響。
測量時間=RES_X×46ps (DOUBLE_RES=0)
測量時間=RES_X×23ps (DOUBLE_RES=1)
非校準模式下也可以實現時間測量和 CAL 值同時測量,在該模式下需要開啟高速時鐘
(START_CLKHS=1)和開啟自動校準(NO_CAL_AUTO=0),這樣就會測量時間的同時會產生一個 Tref× N 周期
的門延時個數,然后將 CAL 值 RES_Tref 存在指定的結果寄存器中。測量時間如下計算,該測量時間和
溫度和電壓無關,僅和高速時鐘抖動有關。
測量時間=RES_X/RES_Tref×Tref× N, N = 1, 2,4,8;
非校準模式測量溢出,當溢出時間功能關閉(EN_SEL_TIMO=0)的情況下,溢出時間相當于 TDC 溢
出,也就是要 20μs 后產生溢出,并且狀態寄存器 Bit13=1(TDC 溢出);當溢出時間功能開啟
(EN_SEL_TIMO=1)的情況下,溢出時間由溢出時間選擇(SEL_TIMO)進行設置,溢出時間僅和高速時鐘相
關,不受時鐘分頻(DIV_CLKHS)的影響,例如高速時鐘為 8MHZ,SEL_TIMO=0 的情況下,溢出時間為
125ns,溢出時狀態寄存器 Bit14=1(時間溢出)。
非校準模式下,當測量脈沖個數小于預期脈沖個數時,可以正常輸出測量脈沖的值,雖然這時狀
態寄存器溢出,但測量到的脈沖產生的結果是正確的,這種應用可以解決在測距過程中多個不定目標
的問題。
6.3.2 寄存器設置
主要的設置為:
a. 選擇測量預期脈沖個數
寄存器 bit 31-28 設置 STOP2 預期脈沖個數 HITIN2=0 或者 2-B;
寄存器 bit 27-24 設置 STOP1 預期脈沖個數 HITIN1=2-B,不能設置為 0;否則無法開啟測量。
b. 選擇測量精度
寄存器 bit 18, DOUBLE_RES = 1 選擇雙精度模式,測量精度為典型 23ps 但僅有一個 stop 通道可用。
DOUBLE_RES = 0 選擇單精度模式,測量精度為典型 46ps,這時兩個 stop 通道都可用。
c. 校準選擇
在非校準模式下,校準將關閉,寄存器 bit 13 CALIBRATE=0;
d. 產生 CAL 值
在非校準模式下,可以選擇產生 CAL 值和不產生 CAL 值,寄存器 bit 12 NO_CAL_AUTO=0 時,產生
CAL 值,NO_CAL_AUTO=1 時,不產生 CAL 值。
e. 溢出選擇
在非校準模式下,寄存器 bit 7 EN_SEL_TIMO=0 溢出時間關閉,這時溢出時間為 TDC 溢出,當
EN_SEL_TIMO=1 時開啟溢出時間,且溢出時間和寄存器 bit 23-22 SEL_TIMO 設置有關。
f. 選擇輸入觸發方式
可通過設置寄存器的 Bit 8-10(NEG_X)在每一個輸入端口(Start, Stop1, Stop2)邊沿觸發方式。當 RFEDGE
= 0 時,NEG_X = 0 則上升沿觸發,NEG_X = 1 則下降沿發。還可以通過設置寄存器的 Bit0&1(REFDGE1 &
FEDGE2),選擇 STOP 由上升沿或下降沿單獨觸發(RFEDGE=0)還是上升沿和下降沿同時觸發(RFEDGE=1),
當 RFEDGE=1 時,Bit 9-10 選擇無效。
g. 中斷
中斷引腳 INTN 可以有不同的中斷源,在寄存器的 Bits4-6(EN_INT)中進行選擇,非校準模式選擇 bit 6 =
1 和 bit 5= 1;
Reg bit 4 = 1 ALU 已經準備好 。
Reg bit 5 = 1 預期脈沖個數全部被接收到。
Reg bit 6 = 1 測量時間溢出。
如有需求請聯系——三亞微科技 王子文(16620966594)
6.4 校準時間測量
注:校準測量單精度最大測量范圍 4μs,雙精度最大測量范圍 2μs。
6.4.1 校準時間測量概述
校準時間測量,在高速振蕩器開啟情況下進行測量,測量的門延時數量和 Tref 門延時數量通過
ALU 進行計算并輸出到結果寄存器。輸出的結果為 24 位浮點數,高 8 位為整數位,低 16 位為小數
位。校準模式下最大測量范圍是 3.5ns-4μs,單精度模式下,可以兩個 STOP 通道同時測量,且每個通
道最多可以測量 10 個 STOP 脈沖,雙精度模式下,僅 STOP1 通道可以使用。
校準時間測量過程中,需要開啟高速時鐘( START_CLKHS=1)和校準開啟(CALIBRATE=1),當產生校準
值關閉(NO_CAL_AUTOCALIBRATE=1)結果寄存器輸出非校準值(可參考非校準部分介紹),當產生校準
值開啟(NO_CAL_AUTOCALIBRATE=0)時,結果寄存器輸出校準后的值 RES_X,測量時間如下計算,被測
時差不能超過 2 ×Tref× DIV_CLKHS。
測量時間= RES_X × Tref × N, N = 1, 2,4,8;
在校準時間測量中,必須開啟溢出時間功能(EN_SEL_TIMO=1),溢出時間由溢出時間選擇
(SEL_TIMO)進行選擇溢出時間,這里的時間僅和高速時鐘相關,不受時鐘分頻(DIV_CLKHS)的影響,例
如高速時鐘為 8MHZ,SEL_TIMO=0 的情況下,溢出時間為 250ns,這時狀態寄存器 Bit14=1(時間溢
出)。
校準模式下,測量脈沖個數必須大于或者等于預期脈沖個數,當測量脈沖小于預期脈沖個數時,
ALU 不進行計算,這時狀態寄存器 Bit14=1(時間溢出)。且 EN_ERR_VAL=1 的情況下,結果寄存器 0
輸出 0xFFFFFFFFFF。
6.4.2 寄存器設置
主要的設置為:
a. 選擇測量預期脈沖個數
寄存器 bit 31-28 設置 STOP2 預期脈沖個數 HITIN2=0 或者 2-B;
寄存器 bit 27-24 設置 STOP1 預期脈沖個數 HITIN1=2-B,不能設置為 0;否則無法開啟測量。
b. 選擇測量精度
寄存器 bit 18, DOUBLE_RES = 1 選擇雙精度模式,測量精度為典型 23ps,但僅有一個 stop 通道可用。
DOUBLE_RES = 0 選擇單精度模式,測量精度為典型 46ps,這時兩個 stop 通道都可用。
c. 校準選擇
在校準模式下,高速晶振和校準都必須開啟,寄存器 bit 13 CALIBRATE=1 和 bit 19
START_CLKHS=1
d. 產生 CAL 值
在校準模式下,必須選擇產生 CAL 值,寄存器 bit 12 NO_CAL_AUTO=0 時,產生 CAL 值。
e. 溢出選擇
在校準模式下,必須開啟溢出,寄存器 bit 7 EN_SEL_TIMO=1 開啟溢出時間,且溢出時間和寄存器
bit 23-22 SEL_TIMO 設置有關。
f. 選擇輸入觸發方式
可通過設置寄存器的 Bit 8-10(NEG_X)在每一個輸入端口(Start,Stop1,Stop2)邊沿觸發方式。當 RFEDGE
= 0 時,NEG_X = 0 則上升沿觸發,NEG_X = 1 則下降沿發。還可以通過設置寄存器的 Bit0&1(REFDGE1 &
FEDGE2),可以選擇 STOP 下降沿單獨觸發(RFEDGE=0)還是上升沿和下降沿同時觸發(RFEDGE=1),當
RFEDGE=1 時,Bit 9-10 選擇無效。
g. 中斷
中斷引腳 INT 可以有不同的中斷源,在寄存器的 Bits4-6(EN_INT)中進行選擇,由于 Reg bit 5=1 中斷輸
出最早,Reg bit 4=1 輸出最晚,用戶可以根據實際情況進行選擇。
Reg bit 4 = 1 ALU 已經準備好 。
Reg bit 5 = 1 預期脈沖個數全部被接收到。
Reg bit 6 = 1 測量時間溢出&TDC 溢出。
h. 高速時鐘分頻
由于校準測量時間小于 2×Tref,所以需要測量時間增長的話,需要設置高速時鐘分頻,在寄存器的
Bits20-21(DIV_CLKHS)中進行設置,但 2×Tref 不能超出測量范圍最大值 4μs。
如有需求請聯系——三亞微科技 王子文(16620966594)
典型應用圖
MS1002&MS1022&MS1003 主要性能對比
封裝外形圖
QFN20
——愛研究芯片的小王
審核編輯 黃宇
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