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芯片濕法刻蝕殘留物去除方法

蘇州芯矽 ? 來源:jf_80715576 ? 作者:jf_80715576 ? 2024-12-26 11:55 ? 次閱讀

大家知道芯片是一個要求極其嚴格的東西,為此我們生產中想盡辦法想要讓它減少污染,更加徹底去除污染物。那么,今天來說說,大家知道芯片濕法刻蝕殘留物到底用什么方法去除的呢?

芯片濕法刻蝕殘留物去除方法主要包括濕法清洗、等離子體處理、化學溶劑處理以及機械研磨等。以下是對芯片濕法刻蝕殘留物去除方法的詳細介紹:

濕法清洗

銅腐蝕液(ST250):銅腐蝕液主要用于去除聚合物殘留物,其對聚合物的去除能力比較強。

稀氟氫酸(DHF):稀氟氫酸能有效去除側壁損傷層,也能去除大多數刻蝕后的聚合物殘留物。

等離子體處理

含F物質的結殼帶與無F散裝帶:為了增強結殼帶,在等離子體中加入含F的物質,但需注意這些傾向于攻擊暴露的氧化硅襯底。

CF4+O2等離子體:用于去除聚合物步驟,隨后使用O2等離子體去除感光膜。

化學溶劑處理

熱SPM、有機溶劑:如熱SPM(過氧化硫模塊)/食人魚溶液、臭氧和硼材料等,用于去除光致抗蝕劑。

n-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基亞氨基甲酸(DMSO)和四銨甲(TMSO):這些溶劑型流體以各種形式和結合工藝使用,提高產量并減少系統損壞。

機械研磨

在某些情況下,可能需要采用機械研磨的方法來去除頑固的殘留物。

審核編輯 黃宇

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