新品 | CoolSiC? MOSFET 3.3 kV XHP? 2半橋模塊
新品
CoolSiC MOSFET 3.3kV
XHP 2半橋模塊
XHP 2 CoolSiC MOSFET 3.3kV集成體二極管、XHP 2封裝，采用.XT互聯(lián)技術(shù)。
產(chǎn)品型號：
■FF2000UXTR33T2M1
■FF2600UXTR33T2M1
■FF4000UXTR33T2M1
產(chǎn)品特點(diǎn)
Inom大
損耗低
高開關(guān)頻率
體積小
.XT連接技術(shù)
I2t浪涌電流穩(wěn)健性
應(yīng)用價(jià)值
能源效率
高功率密度
更長的使用壽命
最高功率密度、能效和堅(jiān)固性的獨(dú)特組合
應(yīng)用領(lǐng)域
軌道交通：牽引變流器
可再生能源：光伏、ESS、電解氫
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7259瀏覽量
214409 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2899瀏覽量
62986
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹
34mm SiC MOSFET半橋碳化硅模塊產(chǎn)品介紹_20241217_Rev.1.0.1
發(fā)表于 12-30 15:24
?0次下載
LN4304 200V半橋驅(qū)動器中文手冊
和 LSTTL 電平，最低可到 3.3V。輸出級可以提供較高的峰值電流驅(qū)動，讓交叉導(dǎo)通時間減到最小。輸出級的傳輸延時做了匹配，簡化了在高頻場合中的應(yīng)用。■ 用途? 功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動? 半
發(fā)表于 12-23 17:08
?1次下載
軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊
三菱電機(jī)新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD-Embedded）技術(shù)，可以滿足鐵路應(yīng)用的高可靠性、高功率和高效率要求
新品 | 采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板
新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功
英飛凌發(fā)布新型模塊化半橋功率板
近日，英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率
新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F
新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器，具有典型的0.2
貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
2024 年 7 月 24 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2
發(fā)表于 07-25 16:14
?683次閱讀
新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展
新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半
英飛凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板
半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動評估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR，專為2kV碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)。這款評估板為工程師們提供了一個快速、便捷的測試平臺，以評估基于
1200A-1800A 1700V IGBT5 XHP?2 .xt模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用
大功率牽引和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用需要高魯棒性，高可靠性和使用壽命長的功率器件。采用IGBT5和.XT技術(shù)的XHP? 2模塊可以滿足這些要求。I
新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板
新品用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板評估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動基于2kV碳化硅
英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點(diǎn)
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。
全面提升！英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是
160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100V MOSFET評估套件
新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100VMOSFET評估套件用于電池供電應(yīng)用(BPA)的EVAL-
工商網(wǎng)監(jiān)
評論