砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料，但用它制作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。

砷化鎵材料優(yōu)點

GaAs擁有一些較Si還要好的電子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會產生較少的噪音。也因為GaAs有較高的崩潰壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛(wèi)星通訊、微波點對點連線、雷達系統(tǒng)等地方。GaAs曾用來做成甘恩二極管、微波二極管和耿氏二極管）以發(fā)射微波。

GaAs的的另一個優(yōu)點：它是直接能隙的材料，所以可以用來發(fā)光。而Si是間接能隙的材料，只能發(fā)射非常微弱的光。（但是，最近的技術已經可以用Si做成LED和運用在鐳射。）

砷化鎵發(fā)展前景

2010年5月，新一期英國《自然》雜志報告說，美國研究人員研發(fā)出一種可批量生產砷化鎵晶片的技術，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優(yōu)良的材料有望大規(guī)模用于半導體和太陽能相關產業(yè)。

美國伊利諾伊大學等機構研究人員報告說，他們開發(fā)出的新技術可以生成由砷化鎵和砷化鋁交疊的多層晶體，然后利用化學物質使砷化鎵層分離出來，可同時生成多層砷化鎵晶片，大大降低了成本。這些砷化鎵晶片可以像“蓋章”那樣安裝到玻璃或塑料等材料表面，然后可使用已有技術進行蝕刻，根據需要制造半導體電路或太陽能電池板。

不過，該技術目前還只能用于批量生產較小的砷化鎵晶片，如邊長500微米的太陽能電池單元。下一步研究將致力于利用新技術批量生產更大的砷化鎵晶片。

砷化鎵概念股有哪些

俄專家研制出可連續(xù)使用12年免充電電池，電池密封結構內含有氚元素，內置的砷化鎵三維傳感器能將氚β粒子衰變釋放的能量轉化為電能，傳感器表面有數量眾多的小孔，增加了傳感器的感應面積，大幅提高了電池的功效，這種電池的輸出功率雖然遠小于普通電池，但它能夠連續(xù)工作12年（氚的半衰期）不需要充電，可適用于醫(yī)療、軍工和航天領域中要求低電流、長期供電的設備上，如心臟起搏器等裝置。

光伏級鍺產品訂單放量，四氯化鍺達產可期，砷化鎵產品蓄勢待發(fā)。公司今年光伏級鍺產品訂單放量，預計全年產量達30萬片/年，且結構在向高毛利產品逐步轉化，預計光伏級產品營收將翻番。公司目前光纖級產品四氯化鍺產能為30噸/年，受益光纖光纜市場需求的持續(xù)旺盛，未來達產后仍有擴產預期。公司砷化鎵技術國內領先，砷化鎵單晶及晶片項目已經完成試生產，待取得關于環(huán)保、安全生產等行政許可后就可以正式投產，進口替代市場空間很大。

鍺價目前已接近成本線，相變存儲應用或刺激鍺需求，看好中長期鍺價拐點。

鍺價目前已接近成本線，鍺本身是國家戰(zhàn)略儲備的稀有金屬，今年仍有收儲預期。鍺是相變存儲材料GST 中的一種主要原料，隨著相變存儲器未來替代閃存成為主流存儲設備，會刺激鍺的需求將會進一步增加。看好中長期鍺價拐點。

砷化鎵概念股有哪些？ 砷化鎵概念股一覽

A股市場上砷化鎵概念股主要有云南鍺業(yè)（002428）、乾照光電（300102）。